[实用新型]一种打印头保护装置有效

专利信息
申请号: 201220663897.2 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN203004518U 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 叶小林 申请(专利权)人: 广州市中崎商业机器有限公司
主分类号: B41J2/135 分类号: B41J2/135;B41J29/38
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 谭英强
地址: 510663 广东省广州市高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 打印头 保护装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及打印领域,特别是一种打印头保护装置。

背景技术

目前,在计算机办公系统中,广泛应用的一种输出设备是打印机,通过打印机将电子文档以纸件方式输出。打印头是打印机的一个非常重要的部件,不仅价格高,维护成本高,而且在使用过程中容易因为过热而损坏。目前,对打印头的保护方式是采用具有温度保护功能的芯片来采集打印头温度,并发送给控制器,当控制器接收到的温度过高时,则切断打印头的电源,停止打印工作。采用这种方法,当芯片发生故障时,将丧失对打印头的保护作用,而且,若控制器在运行过程中发生故障,将无法及时地对打印头进行保护。

实用新型内容

为了解决上述的技术问题,本实用新型的目的是提供了一种可靠性高、稳定性好以及保护作用强的打印头保护装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种打印头保护装置,包括:

CPU、打印头、温度保护电路、DC-DC转换电路及用于检测打印头温度的温度传感器,所述温度保护电路的第一输入端接输入电源,所述温度保护电路的输出端分别与打印头的第一输入端及DC-DC转换电路的输入端连接,所述DC-DC转换电路的输出端分别与打印头的第二输入端及CPU的输入端连接,所述CPU与打印头连接,所述温度传感器的输出端与温度保护电路的第二输入端连接。

进一步,所述温度保护电路包括双电压比较器、NPN型三极管、P沟道增强型MOSFET、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一电容、第二电容及第三电容;

所述温度传感器的输出端与双电压比较器的第三引脚连接,所述双电压比较器的第二引脚通过第一电阻接直流电源,所述双电压比较器的第二引脚还分别通过第二电阻及第一电容接地,所述双电压比较器的第四引脚接地,所述双电压比较器的第八引脚接直流电源;

所述双电压比较器的第一引脚依次通过第三电阻及第二电容接地,所述双电压比较器的第一引脚还依次通过第三电阻及第四电阻与NPN型三极管的基极连接,所述NPN型三极管的发射极接地,所述NPN型三极管的集电极通过第五电阻与P沟道增强型MOSFET的第四引脚连接;

所述P沟道增强型MOSFET的第四引脚还通过第六电阻与输入电源连接,所述P沟道增强型MOSFET的第一引脚、第二引脚及第三引脚均与输入电源连接,所述P沟道增强型MOSFET的第五引脚、第六引脚、第七引脚及第八引脚连接在一起作为驱动电源分别与打印头的第一输入端及DC-DC转换电路的输入端连接,且所述P沟道增强型MOSFET的第五引脚、第六引脚、第七引脚及第八引脚均通过第三电容接地。

进一步,所述双电压比较器的型号为LM393。

进一步,所述P沟道增强型MOSFET的型号为CEM9435A。

进一步,所述DC-DC转换电路包括低压差线性稳压器、第四电容及第五电容,所述低压差线性稳压器的第一引脚接地,所述低压差线性稳压器的第三引脚接驱动电源,所述低压差线性稳压器的第二引脚作为逻辑电源分别与CPU的输入端及打印头的第二输入端连接,所述低压差线性稳压器的第二引脚还通过相互并联的第四电容和第五电容接地。

进一步,所述低压差线性稳压器的型号为AMS1117-5V。

进一步,所述打印头的型号为FTP628MCL101。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的一种打印头保护装置,将输入电源输入到温度保护电路进行转换,同时采用温度传感器采集打印头的温度信号,并转换为电压信号后,输入到温度保护电路,温度保护电路根据该电压信号,控制驱动电源的输出值,从而控制打印头的工作,并通过DC-DC转换电路控制CPU的工作,因此可在打印头过热或者过流情况下,及时切断打印头及CPU的电源,保护打印头不受损坏,可靠性高、稳定性好且保护作用强。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型的一种打印头保护装置的结构框图;

图2是图1中的温度保护电路的电路图;

图3是图1中的DC-DC转换电路的电路图;

图4是图1中的打印头的电路图。

具体实施方式

为了便于下文的描述,首先给出下列名词解释:

DC-DC转换电路:直流电压变换电路;

P沟道增强型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET):P沟道增强型金属-氧化层-半导体-场效晶体管。

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