[实用新型]单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置有效

专利信息
申请号: 201220672715.8 申请日: 2012-12-07
公开(公告)号: CN202968689U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 吴卿;周立庆;刘兴新;徐强强 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 吴永亮
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 生长 石英 安瓿 内壁 制备 装置
【权利要求书】:

1.一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置,其特征在于,包括:

在石英安瓿(1)的颈部(2)设置安瓿支架(4),所述安瓿支架(4)内设有通道;

所述通道内设置导流管(3),所述导流管(3)的一端插进所述石英安瓿(1)的底部,所述导流管(3)的另一端穿出所述安瓿支架(4)与排气管(7)相连接,所述排气管(7)的另一端与真空泵连接;

所述安瓿支架(4)上还设有进气管(8),所述进气管(8)内的碳膜裂解气体通过所述导流管(3)与所述颈部(2)之间的空隙进入所述石英安瓿(1);

所述进气管(8)和所述排气管(7)上均设有流量计。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述安瓿支架(4)与所述颈部(2)的连接处设有第一密封装置(6)。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一密封装置(6)为密封圈和密封胶中的一种或多种。

4.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述导流管(3)与所述排气管(7)的连接处设有第二密封装置(5)。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第二密封装置(5)为密封圈和密封胶中的一种或多种。

6.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述进气管(8)的流量为10-30ml/min,所述排气管(7)的流量为10-50ml/min。

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