[实用新型]单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置有效
申请号: | 201220672715.8 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN202968689U | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 吴卿;周立庆;刘兴新;徐强强 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 吴永亮 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生长 石英 安瓿 内壁 制备 装置 | ||
1.一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置,其特征在于,包括:
在石英安瓿(1)的颈部(2)设置安瓿支架(4),所述安瓿支架(4)内设有通道;
所述通道内设置导流管(3),所述导流管(3)的一端插进所述石英安瓿(1)的底部,所述导流管(3)的另一端穿出所述安瓿支架(4)与排气管(7)相连接,所述排气管(7)的另一端与真空泵连接;
所述安瓿支架(4)上还设有进气管(8),所述进气管(8)内的碳膜裂解气体通过所述导流管(3)与所述颈部(2)之间的空隙进入所述石英安瓿(1);
所述进气管(8)和所述排气管(7)上均设有流量计。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述安瓿支架(4)与所述颈部(2)的连接处设有第一密封装置(6)。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一密封装置(6)为密封圈和密封胶中的一种或多种。
4.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述导流管(3)与所述排气管(7)的连接处设有第二密封装置(5)。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第二密封装置(5)为密封圈和密封胶中的一种或多种。
6.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述进气管(8)的流量为10-30ml/min,所述排气管(7)的流量为10-50ml/min。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的