[实用新型]用于检测封装后芯片漏电的结构有效
| 申请号： | 201220673148.8 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN202957239U | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈灿;孙艳辉;张冠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 检测 封装 芯片 漏电 结构 | ||
1.一种用于检测封装后芯片漏电的结构，所述封装后芯片包括多层介质层以及形成于所述多层介质层中的多层金属互连线，相邻层的金属互连线通过通孔连线电连接；其特征在于，包括：
多层测试线，形成于所述多层介质层中，所述多层测试线三面围绕所述金属互连线，并通过所述多层介质层与所述多层金属互连线电隔离；
多个第一测试盘，形成于所述多层介质层中，每一层所述测试线均连接一第一测试盘；
顶层金属连线，形成于所述多层介质层中最顶层的介质层中，所述顶层金属连线电连接所述多层金属互连线中最顶层的金属互连线；
第二测试盘，与所述顶层金属连线电连接；
焊接盘，形成于所述多层介质层中最顶层的介质层上。
2.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述测试线与与其同层的金属互连线之间的最小距离范围为0.1um~0.15um。
3.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述金属互连线的层数为2~9层。
4.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述多层测试线的层数小于所述金属互连线的层数。
5.如权利要求4所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述金属互连线为N层，所述测试线为N-1层，其中，N为大于等于2的自然数。
6.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述焊接盘的材质为铝。
7.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述介质层为低K介质层。
8.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述测试线的材质为铜。
9.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述顶层金属连线的材质为铜。
10.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述金属互连线和所述通孔连线的材质均为铜。
11.如权利要求1所述的用于检测封装后芯片漏电的结构，其特征在于：所述所述第一测试盘与所述第二测试盘的材质为铜或铝。
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