[实用新型]基准电压生成电路

权利要求书

1.一种基准电压生成电路，其特征在于包括：

镜像恒流源，其具有第一支路和第二支路，其中所述第一支路上的第一电流与所述第二支路上的第二电流成比例；

其中所述第一支路上具有第一电阻性元件，并且所述第二支路上具有串联的两个第二电阻性元件；以及

供电端子，其位于所述第二支路上的所述两个第二电阻性元件之间。

2.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于所述第一支路上的所述第一电流与所述第二支路上的所述第二电流的比例为M∶N，其中M和N是大于或等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于所述第一支路上具有第一NPN型双极晶体管，所述第二支路上具有第二NPN型双极晶体管，并且所述第一NPN型双极晶体管与所述第二NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中基极与发射极之间的电压为V_be；

其中所述第一NPN型双极晶体管的基极与所述第二NPN型双极晶体管的基极连接并且与其自身的集电极连接；

所述第一NPN型双极晶体管的发射极与所述第二NPN型双极晶体管的发射极连接；

所述第一NPN型双极晶体管的集电极通过所述第一电阻性元件与高精确度基准电压V_R连接；以及

所述第二NPN型双极晶体管的集电极通过所述两个第二电阻性元件与电压源V_DDH连接。

4.根据权利要求3所述的基准电压生成电路，其特征在于所述两个第二电阻性元件与所述电压源V_DDH之间包括以下至少一种：

第三NPN型双极晶体管与所述第一NPN型双极晶体管或所述第二NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中基极与发射极之间的电压为V_be，并且其基极与集电极与所述电压源V_DDH连接，其发射极与所述两个第二电阻性元件连接；以及

二极管与所述第一NPN型双极晶体管或所述第二NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中正极与负极之间的电压为V_d，并且其正极与所述电压源V_DDH连接，其负极与所述两个第二电阻性元件连接。

5.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于所述第一支路上具有第一N型MOS管，所述第二支路上具有第二N型MOS管，并且所述第一N型MOS管与所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中栅极与源极之间的电压为V_gs；

其中所述第一N型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的栅极连接并且与其自身的漏极连接；

所述第一N型MOS管的源极与所述第二N型MOS管的源极连接；

所述第一N型MOS管的漏极通过所述第一电阻性元件与高精确度基准电压V_R连接；以及

所述第二N型MOS管的漏极通过所述两个第二电阻性元件与电压源V_DDH连接。

6.根据权利要求5所述的基准电压生成电路，其特征在于所述两个第二电阻性元件与所述电压源V_DDH之间包括以下至少一种：

P型MOS管与所述第一N型MOS管或所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中栅极与源极之间的电压为V_gs，并且其源极与所述电压源V_DDH连接，其栅极与漏极与所述两个第二电阻性元件连接；以及

二极管与所述第一N型MOS管或所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中正极与负极之间的电压为V_d，并且其正极与所述电压源V_DDH连接，其负极与所述两个第二电阻性元件连接。

7.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于进一步包括通过调节所述第二支路上的所述两个第二电阻性元件分别与所述第一支路上的所述第一电阻性元件的比率，在所述供电端子处生成期望的相对于电压源V_DDH的基准电压V_REF。