[实用新型]基准电压生成电路

说明书

技术领域

本实用新型的各实施方式总体上涉及电路领域，并且更具体地，本实用新型的各实施方式涉及一种基准电压生成电路。

背景技术

随着半导体技术的飞速发展，各种集成电路(IC)在工业生产以及人们的日常生活中得到了普遍应用。但在IC(尤其是高电压IC)中，经常需要生成相对于电压源的高精确度基准电压。为了生成该高精确度基准电压，目前业界的传统基准电压生成电路是通过串联电阻器来实现。然而，由于电路中电流以及电阻器的值在不同的工艺角以及温度下会发生变化，因此很难生成高精确度基准电压。

实用新型内容

为了解决上述问题，在本上下文中，本实用新型各实施方式的目的之一在于提供一种基准电压生成电路。

根据本实用新型一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括：镜像恒流源，其具有第一支路和第二支路，其中所述第一支路上的第一电流与所述第二支路上的第二电流成比例；其中所述第一支路上具有第一电阻性元件，并且所述第二支路上具有串联的两个第二电阻性元件；以及供电端子，其位于所述第二支路上的所述两个第二电阻性元件之间。

根据本实用新型一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括：其中所述第一支路上的所述第一电流与所述第二支路上的所述第二电流的比例为M∶N，其中M和N是大于或等于1的整数。

根据本实用新型一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括：其中所述第一支路上具有第一NPN型双极晶体管，所述第二支路上具有第二NPN型双极晶体管，并且所述第一NPN型双极晶体管与所述第二NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中基极与发射极之间的电压为V_be；其中所述第一NPN型双极晶体管的基极与所述第二NPN型双极晶体管的基极连接并且与其自身的集电极连接；所述第一NPN型双极晶体管的发射极与所述第二NPN型双极晶体管的发射极连接；所述第一NPN型双极晶体管的集电极通过所述第一电阻性元件与高精确度基准电压VR连接；以及所述第二NPN型双极晶体管的集电极通过所述两个第二电阻性元件与电压源V_DDH连接。

根据本实用新型一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括：其中所述两个第二电阻性元件与所述电压源V_DDH之间包括以下至少一种：第三NPN型双极晶体管与所述第一NPN型双极晶体管或所述第二NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中基极与发射极之间的电压为V_be，并且其基极与集电极与所述电压源V_DDH连接，其发射极与所述两个第二电阻性元件连接；以及二极管与所述第一NPN型双极晶体管或所述第二NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中正极与负极之间的电压为V_d，并且其正极与所述电压源V_DDH连接，其负极与所述两个第二电阻性元件连接。

根据本实用新型一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括：其中所述第一支路上具有第一N型MOS管，所述第二支路上具有第二N型MOS管，并且所述第一N型MOS管与所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中栅极与源极之间的电压为V_gs；其中所述第一N型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的栅极连接并且与其自身的漏极连接；所述第一N型MOS管的源极与所述第二N型MOS管的源极连接；所述第一N型MOS管的漏极通过所述第一电阻性元件与高精确度基准电压V_R连接；以及所述第二N型MOS管的漏极通过所述两个第二电阻性元件与电压源V_DDH连接。

根据本实用新型一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括：其中所述两个第二电阻性元件与所述电压源V_DDH之间包括以下至少一种：P型MOS管与所述第一N型MOS管或所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中栅极与源极之间的电压为V_gs，并且其源极与所述电压源V_DDH连接，其栅极与漏极与所述两个第二电阻性元件连接；以及二极管与所述第一N型MOS管或所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中正极与负极之间的电压为V_d，并且其正极与所述电压源V_DDH连接，其负极与所述两个第二电阻性元件连接。