[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板、形成在所述基板上的栅极、有源层和源漏极层；以及

形成在所述基板上位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层和位于所述有源层和源漏极层之间的刻蚀阻挡层；

所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由至少两层绝缘层制作而成；或者

所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由至少两层绝缘层制作而成；

其中，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为至少两层绝缘层时，距离有源层最近的一层绝缘层的致密度低于其余绝缘层的致密度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层包括第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层距离所述有源层最近；所述薄膜晶体管具体为：

所述栅极位于所述基板上；

所述栅极绝缘层位于所述栅极上；

所述有源层位于所述栅极绝缘层上；

所述第一刻蚀阻挡层位于所述有源层上；

所述第二刻蚀阻挡层位于所述第一刻蚀阻挡层上；

所述源漏极层位于所述第二刻蚀阻挡层上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层距离所述有源层最近；所述薄膜晶体管具体为：

所述源漏极层位于所述基板上；

所述刻蚀阻挡层位于所述源漏极层上；

所述有源层位于所述刻蚀阻挡层上；

所述第一栅极绝缘层位于所述有源层上；

所述第二栅极绝缘层位于所述第一栅极绝缘层上；

所述栅极位于所述第二栅极绝缘层上。

4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管最外层的钝化层，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层距离所述有源层最近；其中，所述第一钝化层的致密度低于第二钝化层的致密度。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为两层绝缘层时，距离有源层最近的一层绝缘层由氧化硅材料制作而成，其余绝缘层由氧化硅、氮化硅，和氮氧化硅中的其中一种材料制作而成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为三层绝缘层时，距离有源层最近的一层绝缘层为第一绝缘层，与第一绝缘层相接触的一层为第二绝缘层，与第二绝缘层相接触的一层为第三绝缘层；

第一绝缘层由氧化硅材料制作而成，第二绝缘层和第三绝缘层分别由氧化硅、氮化硅，和氮氧化硅中的其中一种材料制作而成。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上待形成薄膜晶体管各膜层的一侧。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-7任一权项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。