[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及薄膜晶体管工艺制作领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

在各种显示装置的像素单元中，通过施加驱动电压来驱动显示装置的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）被大量使用。在TFT的有源层一直使用稳定性和加工性较好的非晶硅（a-Si）材料，但是a-Si材料的载流子迁移率较低，不能满足大尺寸、高分辨率显示器件的要求，特别是不能满足下一代有源矩阵式有机发光显示器件（Active Matrix Organic Light Emitting Device，AMOLED）的要求。

铟镓锌氧化物（In-Ga-Zn-Oxide，IGZO）薄膜晶体管（即IGZO-TFT），由于其有源层（IGZO）具有较高的载流子迁移率，以及较高的热学性能、化学稳定性，成为人们的研究热点。制备高性能、高稳定性的IGZO薄膜晶体管成为各厂商研究的重点和难点。

制约IGZO薄膜晶体管高性能和高稳定性的因素很多，其中，IGZO-TFT的各绝缘层，例如栅极绝缘层、刻蚀阻挡层（Etch Stop Layer，ESL）和钝化层（Passivation，PVX）的致密度会影响IGZO-TFT的性能和稳定性。并且，ESL和PVX与有源层的接触界面的成膜质量也会影响IGZO-TFT的性能和稳定性。当ESL、PVX层作为绝缘绝缘层的致密度较低时，在制作后续膜层过程中的有害物质如氢（H）、H₂O有可能会扩散到有源层IGZO中，或者扩散到源极和漏极所在的S/D层，导致IGZO-TFT特性的严重劣化，产生驱动电压不稳定，寿命大幅度下降等问题。

并且，ESL和PVX分别与有源层IGZO的接触界面成膜质量较差时，即界面的表面形貌较差时，IGZO-TFT的稳定性和特性也会严重下降。

现有技术在制作ESL和PVX层时，在高温条件，如在300℃-400℃的条件，采用等离子体化学气相沉积（PECVD）制作ESL和PVX层，由于有源层与ESL和PVX层均有接触面，高温条件制作的ESL和PVX层致密度较好，但是高温条件成膜工艺，形成的ESL层与IGZO层或PVX层与IGZO层的表面形貌不太好，TFT性能和稳定特较差。在低温度条件下，制备的ESL和PVX层致密度较差，无法避免残留有一定数量的H或H₂O，扩散到TFT的IGZO层，从而造成IGZO-TFT特性的严重劣化，产生驱动电压不稳定，寿命大幅度下降等问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管驱动电压的稳定性及薄膜晶体管的寿命。

本实用新型实施例提供的一种薄膜晶体管包括：基板、形成在所述基板上的栅极、有源层和源漏极层；以及

形成在所述基板上位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层和位于所述有源层和源漏极层之间的刻蚀阻挡层；

所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由至少两层绝缘层制作而成；或者

所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由至少两层绝缘层制作而成；

其中，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为至少两层绝缘层时，距离有源层最近的一层绝缘层的致密度低于其余绝缘层的致密度。

较佳地，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层包括第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层距离所述有源层最近；所述薄膜晶体管具体为：

所述栅极位于所述基板上；

所述栅极绝缘层位于所述栅极上；

所述有源层位于所述栅极绝缘层上；

所述第一刻蚀阻挡层位于所述有源层上；

所述第二刻蚀阻挡层位于所述第一刻蚀阻挡层上；

所述源漏极层位于所述第二刻蚀阻挡层上。

较佳地，所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层距离所述有源层最近；所述薄膜晶体管具体为：

所述源漏极层位于所述基板上；

所述刻蚀阻挡层位于所述源漏极层上；

所述有源层位于所述刻蚀阻挡层上；

所述第一栅极绝缘层位于所述有源层上；

所述第二栅极绝缘层位于所述第一栅极绝缘层上；

所述栅极位于所述第二栅极绝缘层上。

较佳地，还包括：位于所述薄膜晶体管最外层的钝化层，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层距离所述有源层最近；其中，所述第一钝化层的致密度低于第二钝化层的致密度。