[实用新型]一种LPCVD系统有效
申请号: | 201220694865.9 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN202936478U | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 彭侃;吴国发 | 申请(专利权)人: | 汉能新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 101407 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 lpcvd 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种LPCVD系统,具体地讲是涉及一种多片同时镀膜的LPCVD系统。
背景技术
随着环境污染引起的温室效应问题日益严重,人们也越来越认识到环境保护的重要性,同时人们对能源的需求也在逐年递增,能源危机也在日益临近,使用清洁能源已被各国政府和组织提上了议事日程。现在各国都在大力发展清洁能源,光伏应用作为新能源应用的一个重要组成部分,正逐渐被人们所重视,这就为光伏应用提供了非常广阔的市场前景和机遇。
目前光伏产业的发展,关键取决于降低太阳能电池生产成本的潜力。薄膜太阳能电池生产过程能耗低,具备大幅度降低原材料和制造成本的潜力;同时,薄膜太阳能电池在弱光条件下仍可发电。因此,目前市场上对薄膜太阳能电池的需求正逐渐增长,制造薄膜太阳能电池的技术更成为近年来的研究热点。在目前掌握的生产技术和生产设备的基础上,进一步挖掘降低原材料和制造成本的潜力、采用新工艺,就成了薄膜太阳能电池技术的一个重要研究方向。
薄膜太阳能电池,尤其以非晶硅或非晶锗薄膜太阳能电池为代表的生产工艺流程,一般包含以下工序:
步骤1:磨边
玻璃首先需要进行磨边处理,将玻璃四边有棱角的地方磨光滑,四角进行倒角,这样就可以消除玻璃边缘及四角的微裂纹,便于后面工序以及搬运操作和安全。
步骤2:前玻璃初级清洗
前玻璃初级清洗由清洗机完成,前玻璃从玻璃投入口投入清洗机,经过玻璃清洗液分级清洗,风刀吹干,玻璃烘干。完成清洗的玻璃进入清洗检测工具,对清洗的结果进行检测。
步骤3:前电极镀TCO膜
玻璃清洗完毕后,需要在线沉积TCO薄膜作为太阳能电池的前透明导电电极。目前的TCO一般可以分为FTO、BZO和AZO等,均可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极,其中可用于薄膜太阳能电池生产线上在线的镀膜技术的有BZO和AZO。
玻璃送入TCO设备进行前接触电极生产,通过机械手或人工将玻璃放入装载台,经过预热腔加热,进入工艺腔镀膜,进入冷却腔冷却,通过卸载台送入回传模块,传回装载台处,由机械手或人工将玻璃取走。
步骤4:第一次激光划线
做完前电极的玻璃被送入激光设备内进行第一次划刻。划刻绝缘线和光标,以便于之后划刻的套刻。
步骤5:第二次玻璃清洗
第一次划刻完成后的玻璃需要重新进行清洗以减少粉尘对后续PECVD工序的影响。此次相比初次清洗增加了超声波清洗功能。
步骤6:PECVD工序
PECVD是等离子体化学气相沉积,此道工序为沉积薄膜太阳能电池的芯片层,是薄膜太阳能电池制备的核心工序。成膜过程首先是沉积p层,为窗口层,要求带隙要宽;之后沉积的是i层,作为光的吸收层;第三层为n层。以上就构成了薄膜硅或硅锗太阳能电池最基本的pin结构。
步骤7:第二次激光划线
PECVD镀膜结束后,需要进行第二次激光划线工艺,所有设备与第一次激光划线相同,不同的是第一次激光划线是通过激光将TCO层划断,而第二次激光划线时通过激光将PECVD所沉积的Si层或SiGe的pin层划断。
步骤8: 背电极工序
接下来需要沉积背电极,背电极工艺是沉积一层导电膜,通过第二次激光划刻所形成的沟槽与前透明电极连接。
步骤9:第三次激光划刻
第三次激光划刻是将每个cell串联起来。
步骤10:后端测试、封装工序,包括:扫边、电极引线、层压、接线盒、FLS功率测试等。
目前,针对步骤3的工艺流程具体如下:
第一步:将玻璃放入装载台,工人或机械手将未镀膜的玻璃基板放到装载台上,再传输到加热腔。
第二步:玻璃在加热腔中预热,玻璃在预热腔中加热到预定温度后,通过内传输系统将玻璃传输到工艺腔中。
第三步:在工艺腔中镀膜,顶针系统把玻璃顶起,传输滚轮撤出,顶针系统复位,玻璃与加热板贴平,喷淋头喷出工艺气体,进行镀膜工艺,镀膜完成后顶针系统把玻璃顶起,传输滚轮伸出,顶针系统复位,玻璃将被传输到冷却腔中。
第四步:玻璃在冷却腔中冷却,镀完膜的玻璃在冷却腔中冷却到一定的温度后,传入到卸载台中,冷却腔的一个作用就是避免从工艺腔中出来的高温玻璃,到大气环境中,温度突然骤变,引起玻璃破碎。
第五步:回传到装载台,完成整个工艺流程。 镀完膜的BZO玻璃从冷却腔出来,通过卸载台传输到回传模块,再到装载台,由工人和机械手搬离。
发明内容
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的