[实用新型]恒温晶体振荡器拐点电阻测试系统有效

专利信息
申请号: 201220708414.6 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN202975165U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 陈建松;王一民;张贻海;吕振兴;崔立志 申请(专利权)人: 同方国芯电子股份有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02
代理公司: 唐山永和专利商标事务所 13103 代理人: 张云和
地址: 064100 河北*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 恒温 晶体振荡器 拐点 电阻 测试 系统
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及恒温晶体振荡器,特别是一种恒温晶体振荡器拐点电阻测试系统。

背景技术

目前,在恒温晶体振荡器传统生产制造工艺中,人们常常需要采用手动调整拐点电阻值的方法来寻找晶体的拐点温度,以期达到最好的频率稳定度指标,尤其是温度稳定度,因为在晶体振荡器恒温温度下的频率稳定度最高。而现有对恒温晶体振荡器的拐点调试和测试过程较为复杂,为达到标称的频率稳定度和精度,在恒温晶体振荡器生产中须针对元器件的离散性,进行多项繁琐而又严格的调试和测试,批量生产时较繁琐。手工调测效率低,精度差,难以满足要求。

实用新型内容

为实现恒温晶体振荡器生产中调试的精确化、测试的自动化及成品检验的计算机化,本实用新型提供一种利用计算机实现恒温晶体振荡器拐点电阻的自动批量化调试,以找到恒温晶体振荡器恒温温度的恒温晶体振荡器拐点电阻测试系统。

本实用新型采用的技术方案是:

一种恒温晶体振荡器拐点电阻测试系统,包括电源、测试控制板、频率测量仪、计算机,所述测试控制板上允许有多个通过选通开关控制接通的测试单元,每个测试单元均由待测试的恒温晶体振荡器和与恒温晶体振荡器连接的桥路电阻组成,所述桥路电阻是两个并联的数字电位器;所述计算机与测试控制板上的选通开关并口连接,与桥路电阻中的数字电位器串口连接,计算机通过PIC-DIO-96卡自动采集数据;所述频率测量仪与恒温晶体振荡器连接,并通过GPIB接口总线与所述计算机连接。

更进一步:

所述数字电位器是MAX5477-79,其中一个阻值为10K,另一个阻值为100K,数字电位器MAX5477-79的阻值变化由计算机利用VB编程程序控制。

所述计算机VB编程程序的编写采用单片机VB + Access数据库模式,数据库驱动引擎采用ODBC模式,通过编程程序控制数字电位器MAX5477-79的电阻值,并对不同电阻值下的产品频率进行记录,存放在数据库内。

本系统中,计算机向测试控制板发送唯一的地址码,测试控制板中的选通开关根据接收到的地址编码选通待测恒温产品位置。频率测量仪读取每一个晶体振荡器的频率,计算机根据频率测量仪测得的数据拟合晶体振荡器温频特性曲线,并计算得出振荡器拐点时的电阻值。

另外,本系统中所述的测试控制板可以设置多个,系统通过多组数码器和多路开关可以同时选通不同测试控制板上的晶体振荡器,实现多个晶体振荡器的频率数据同时采集,并对采集到的频率数据进行分析比较,拟合计算最佳拐点电阻值。

与现有技术相比,本实用新型的优势在于:拐点电阻的自动调整、频率曲线的测量全部由计算机进行处理,快速、高效、自动,实现了恒温晶体振荡器拐点电阻的自动批量化调试,可以缩短恒温晶体振荡器的开发周期,降低恒温晶体振荡器的制作成本,更有利于恒温晶体振荡器产品的大批量生产。

附图说明

图1是本实用新型系统框图。

图2是图1中桥路电阻连接示意图。

图3是本实用新型系统工作流程图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步说明,目的仅在于更好地理解本实用新型内容。因此,所举实施例并不限制本实用新型的保护范围。

参见图1,这种恒温晶体振荡器拐点电阻测试系统由电源、频率测量仪、计算机和测试控制板组成,测试控制板设置有多个测试单元,每个测试单元均由待测试的恒温晶体振荡器和与恒温晶体振荡器连接的桥路电阻组成。

参见图2,桥路电阻是两个并联的数字电位器MAX5477-79,其中一个阻值为10K,另一个阻值为100K,10K阻值电位器粗略调节拐点阻值大小,100K阻值电位器精细调节拐点阻值大小。

仍参见图1、图2,测试控制板上有与待测试的恒温晶体振荡器连接的选通开关,计算机与所述选通开关并口连接,与桥路电阻中的数字电位器串口连接,计算机通过PIC-DIO卡自动采集数据;频率测量仪与恒温晶体振荡器连接,并通过GPIB接口总线与计算机的RS232串行接口连接;电源与测试控制板中的恒温晶体振荡器连接,为恒温晶体振荡器提供工作电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同方国芯电子股份有限公司,未经同方国芯电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220708414.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top