[实用新型]一种用于触摸屏的ITO膜有效

专利信息
申请号: 201220718827.2 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN203602703U 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 沈国阳 申请(专利权)人: 南昌欧菲光科技有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330000 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 触摸屏 ito
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种用于触摸屏的ITO膜,属于电子屏幕的技术领域。

背景技术

ITO(Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物),作为一种典型的N型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。

制备ITO镀膜的方法有很多,一般为ITO粉体通过气相沉积法将ITO沉积到玻璃、金属等基体表面,形成一薄膜层。 

发明内容

为了克服上述缺陷,本实用新型的目的在于提供一种有利于工业化、连续化生产的需要的用于触摸屏的ITO膜。

为了达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种用于触摸屏的ITO膜,该膜包括透明基体和镀覆在所述透明基体上的膜层,所述膜层包括自透明基体上表面依次向上排列的底层、中间层和第一面层。

所述底层、中间层和第一面层均为单层结构。

所述透明基体的厚度为50-188μm,所述透明基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚胺。

所述底层为SiO2或Al2O3;所述中间层为Si3N4或Nb2O5;所述第一面层为ITO层。

本实用新型的有益效果:

本实用新型率先采用真空磁控溅射法制备柔性ITO薄膜,通过磁控溅射将ITO薄膜沉积在柔性基体上,再通过贴合等技术至基体上。由此方法制备的ITO薄膜不仅附着力好,性能优异,而且有利于工业化连续生产,大大提高了生产效率,为工业化生产的首选。 

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行详细说明:

一种用于触摸屏的ITO膜,该膜包括透明基体1和镀覆在所述透明基体上的膜层,所述膜层包括自透明基体1上表面依次向上排列的底层2、中间层3和第一面层4。

所述底层2、中间层3和第一面层4均为单层结构。

所述透明基体1的厚度为50-188μm,所述透明基体1为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚胺。

所述底层2为SiO2或Al2O3;所述中间层3为Si3N4或Nb2O5;所述第一面层4为ITO层。

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