[实用新型]一种用于触摸屏的ITO膜有效
申请号: | 201220718827.2 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN203602703U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 沈国阳 | 申请(专利权)人: | 南昌欧菲光科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/35 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330000 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 触摸屏 ito | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于触摸屏的ITO膜,属于电子屏幕的技术领域。
背景技术
ITO(Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物),作为一种典型的N型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。
制备ITO镀膜的方法有很多,一般为ITO粉体通过气相沉积法将ITO沉积到玻璃、金属等基体表面,形成一薄膜层。
发明内容
为了克服上述缺陷,本实用新型的目的在于提供一种有利于工业化、连续化生产的需要的用于触摸屏的ITO膜。
为了达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种用于触摸屏的ITO膜,该膜包括透明基体和镀覆在所述透明基体上的膜层,所述膜层包括自透明基体上表面依次向上排列的底层、中间层和第一面层。
所述底层、中间层和第一面层均为单层结构。
所述透明基体的厚度为50-188μm,所述透明基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚胺。
所述底层为SiO2或Al2O3;所述中间层为Si3N4或Nb2O5;所述第一面层为ITO层。
本实用新型的有益效果:
本实用新型率先采用真空磁控溅射法制备柔性ITO薄膜,通过磁控溅射将ITO薄膜沉积在柔性基体上,再通过贴合等技术至基体上。由此方法制备的ITO薄膜不仅附着力好,性能优异,而且有利于工业化连续生产,大大提高了生产效率,为工业化生产的首选。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进行详细说明:
一种用于触摸屏的ITO膜,该膜包括透明基体1和镀覆在所述透明基体上的膜层,所述膜层包括自透明基体1上表面依次向上排列的底层2、中间层3和第一面层4。
所述底层2、中间层3和第一面层4均为单层结构。
所述透明基体1的厚度为50-188μm,所述透明基体1为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚胺。
所述底层2为SiO2或Al2O3;所述中间层3为Si3N4或Nb2O5;所述第一面层4为ITO层。
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