[实用新型]低噪声放大器的封装结构有效
| 申请号： | 201220722002.8 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN203014745U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘宇华;黄亭尧 | 申请（专利权）人： | 络达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 封装 结构 | ||
1.一种低噪声放大器的封装结构，其特征在于，包含有：
一芯片，该芯片中设有一第一电感、二N型金氧半晶体管及一第二电感，并设有多个接点；
一电路板，布设有多个接点及一线电感；及
多个连接线，分别连接芯片的接点与对应的电路板接点；
其中，该线电感连接芯片的第二电感，形成一退耦电感。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器的封装结构，其特征在于，该电路板为一单层电路板。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器的封装结构，其特征在于，该封装结构为一小型封装结构，该电路板尺寸为1.0mm×0.6mm至1.2mm×0.8mm。
4.根据权利要求3所述的低噪声放大器的封装结构，其特征在于，该电路板的多个接点中包含有一输出接点，连接该芯片的一输出接点，该电路板的输出接点连接一延伸区，形成一匹配电容。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器的封装结构，其特征在于，该封装结构为一大型封装结构，该电路板尺寸为1.4mm×0.9mm至1.6mm×1.1mm。
6.根据权利要求5所述的低噪声放大器的封装结构，其特征在于，该电路板的多个接点中包含有一输出接点，连接该芯片的一输出接点，该电路板的输出接点连接一匹配线电感的一端。
7.根据权利要求6所述的低噪声放大器的封装结构，其特征在于，该匹配线电感的另一端以一连接线连接该芯片的输出接点。
8.根据权利要求1所述的低噪声放大器的封装结构，其特征在于，芯片中设有一电源模块。
9.根据权利要求8所述的低噪声放大器的封装结构，其特征在于，该电源模块为一低压降稳压器、一电阻及其组合的其中之一。
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