[实用新型]扩散石英舟有效
申请号: | 201220741791.X | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN203085500U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 黄华;陈琼 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213213 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩散 石英 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种石英舟,尤其涉及一种扩散石英舟。
背景技术
太阳能电池扩散是电池片制作中的核心工序,主要目的是形成PN结使得电子和空穴分离,高质量,高均匀性的PN结是生产高效电池的基础。
目前我们所使用的传统石英舟,由于温度和气流分布不均匀,因此扩散方阻的均匀性不是很好,可调空间也不大,工艺气体从尾部进入炉内,气流垂直于硅片表面,工艺气体沿着硅片周边流向炉口,工艺气体较难到达硅片与硅片之间,硅片中心区域气体密度低于硅片四边,从而导致硅片中间方阻大于四边的方阻,方阻均匀性差,电池片方阻均匀性差从而导致转换效率低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了解决传统的石英舟温度和气流分布不均匀而导致电池片转换效率低的问题,本实用新型提供一种用于生产太阳能电池片的扩散石英舟来解决上述问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种扩散石英舟,用于放置硅片进行扩散处理,包括一个支撑骨架和位于支撑骨架两端的两块面板,所述的两块面板上均开有用于气流通过的通孔,所述的支撑骨架包括位于底部的底固定条、设置在底固定条上的支撑条和用于围护硅片的两条侧面横杆,所述的两条侧面横杆之间设置有至少两根龙骨。
为了放置的硅片稳固,所述支撑条上具有多个第一插槽。
为了放置的硅片稳固,所述龙骨正对硅片的方向设置有多个第二插槽。
进一步,具体的说,所述的底固定条为2根,支撑条为6根,龙骨为4根,所述的4根龙骨均布在所述的侧面横杆上将扩散石英舟分为三格,每格内均设置有两个支撑条。
进一步,根据实际需要,所述的第一插槽和第二插槽的个数均为20-200。
进一步,作为优选,所述的第一插槽和第二插槽的个数均为50。
进一步,具体的说,所述第一插槽和第二插槽的宽度均为0.1mm-3mm。
进一步,作为优选所述的第一插槽和第二插槽的宽度均为1.5mm。
本实用新型的有益效果是,本实用新型扩散石英舟,可以使得石英舟上硅片和气流平行,这样气流能均匀的在硅片之间流动,对扩散方阻的均匀性有很大的改善,同时提高了电池片的转换效率,降低了低效片的比例,节约了企业的成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型扩散石英舟摆放硅片的示意图;
图2是本实用新型扩散石英舟的主视图;
图3是本实用新型扩散石英舟的左视图;
图4是本使用新型扩散石英舟的俯视图。
图中1、硅片,2、面板,3、底固定条,4、侧面横杆,5、支撑条,6.第一插槽,7、龙骨,8、第二插槽,9、通孔。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1-3所示,本实用新型扩散石英舟,用于放置硅片1进行扩散处理,包括一个支撑骨架和位于支撑骨架两端的两块面板2,两块面板2上均开有用于气流通过的通孔,支撑骨架包括位于底部的底固定条3、设置在底固定条3上的支撑条5和用于围护硅片1的两条侧面横杆4,两条侧面横杆4之间设置有至少两根龙骨7,支撑条5上具有多个第一插槽6,龙骨7正对硅片的方向设置有多个第二插槽8。
在本实施例中,底固定条3为2根,支撑条5为6根,龙骨7为4根,4根龙骨7均布在侧面横杆4上将扩散石英舟分为三格,每格内均设置有两个支撑条5,第一插槽6和第二插槽8的个数均为50,第一插槽6和第二插槽8的宽度均为1.5mm。
工艺气体从尾部进入炉内,利用通孔9进出扩散石英舟,气流平行于硅片1表面。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造