[实用新型]一种双极电容结构

权利要求书

1.一种双极电容结构，包括： 

一半导体衬底，所述半导体衬底的外延层中有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离； 

淀积在所述半导体衬底上的第一介质层； 

分别形成在所述深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离上的第一介质层中的接触孔，以及形成在所述第二类掺杂区上的第一介质层中所需的电容窗口； 

二氧化硅层和氮化硅层，由下至上形成复合电容位于所需的电容窗口中。 

2.如权利要求1所述的双极电容结构，其特征在于，还包括发射区，所述发射区形成在所述第一类掺杂区内对准一接触孔的部位。 

3.如权利要求1所述的双极电容结构，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为

4.如权利要求3所述的双极电容结构，其特征在于，所述复合电容介质系数的大小通过调整复合介质中的各层的厚度实现。 

5.如权利要求1所述的双极电容结构，其特征在于，所述发射区包孔为所述发射区与其对准的接触孔孔底边缘的横向间距，所述发射区包孔的特征尺寸为0.3um～0.5um。