[实用新型]一种双极电容结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种双极电容结构。

背景技术

传统的双极电路工艺采用的制造方法流程结合图1到图8做详细的说明：

参见图1，形成底层：选取合适的衬底材料21；通过氧化、光刻、刻蚀、注入等工艺在所述衬底材料上形成电路所需的N型掺杂埋层22及P型掺杂下隔离23；通过外延工艺生成外延层24；氧化生成的第一氧化层26，用于对不需掺杂的区域做阻挡；采用光刻、刻蚀工艺在外延层24中形成深磷窗口，通过向深磷窗口进行磷扩散掺杂、退火氧化形成N型掺杂深磷28，用于减少器件电极串联电阻；再在外延层24中形成上隔离窗口，通过向上隔离窗口进行铜扩散掺杂、退火氧化形成P型掺杂上隔离25，形成上隔离25与下隔离23相连接的完整的隔离结构，在形成深磷和上隔离后所处的深磷窗口和上隔离窗口又重新会生长薄层的第二氧化层；参见图2，完成两步扩散掺杂后采用一定浓度的氢氟酸溶液漂洗(体积比为HF∶H2O＝1∶8)去净第一氧化层26和第二氧化层；参见图3，氧化生长的第三氧化层27(图中未示)，用于注入牺牲层，通过光刻、注入、扩散、退火等工艺在外延层24中形成多个第一类P型掺杂区271和第二类P型掺杂区272，并去除多余的第三氧化层27，第一类P型掺杂区71在后续工艺可形成NPN晶体管基区或PNP晶体管集电区与发射区，第二类P型掺杂区272在后续工艺可形成电阻及电容器件。

参见图4，在所述底层上淀积的底层氧化硅薄膜中分步形成电容窗口和NPN晶体管的引线孔为例：通过注入对晶体管的发射区216进行掺杂；采用化学气相淀积的方式生成底层氧化硅薄膜29，作为引线孔的介质材料；参见图5，在H2/O2气氛下通过低温退火对淀积的底层氧化硅薄膜进行增密；完成底层氧化硅薄膜的增密后，接着通过光刻、刻蚀等工艺完成电容窗口211刻蚀；参见图6，然后在电容窗口211及底层氧化硅薄膜29上淀积完电容介质材料214(电容介质材料为氮化硅层，或在生长氮化硅层之间先生长二氧化硅层)；淀积完电容介质材料后，采用光刻、刻蚀等工艺将电容窗口外的区域电容介质材料214去除，保留所述电容窗口内电容介质材料214，用于电容介质层；接着通过扩散炉对发射区进行发射区退火工艺得到满足产品功能的晶体管放大参数；参见图7，然后再通过光刻、刻蚀等工艺再在底层氧化硅薄膜上做引线孔210；参见图8，利用金属布线工艺、钝化及压点工艺形成完整的电路芯片。

传统的双极电路中，电容器件采用低压化学气相淀积的方式生成氮化硅或采用低温干氧生长致密的氧化层，也可采用氮化硅和二氧化硅的复合结构作为电容介质材料。采用常规的工艺制作方法，只形成一种电容器件，无法满足一些特殊产品对高低压模块中不同电容值及耐压的要求。

双极电路中大量使用的器件是晶体管，其电路功能会受晶体管电学参数影响(例如特征NPN晶体管放大系数、三极管集电极开路BVebo耐压、三极管发射极开路BVceo耐压等参数)，尤其是放大系数，电路会对该参数有具体的规范要求。因晶体管放大参数会随着基区及发射区注入浓度及退火结深的变化而发生变化，为满足电路对放大系数的要求，在发射区退火加工时会先安排加工先行片退火，先行片退火完成后需在发射区增加一道光刻、刻蚀流程来形成接触孔，完成接触孔工艺后才能测试晶体管放大系数来确认同批次其他芯片适合的退火条件。因此，这个先行片流程会增加光刻层次，限制流水进度。

由于双极电路工艺中使用到的光刻机是通过光学系统将掩膜版上的图形精确地投影曝光到涂过光刻胶的硅片上的。电路版图设计时会按一套基本的设计规则进行规定掩膜版图形及所需尺寸，将规定参数线宽、线间距、接触孔尺寸和电路版图上图形间距。每层图形都有特殊的功能，存在固定的尺寸及容差规定，通过光刻工艺将这些图形彼此套准形成电路过程中会存在工艺上的套准容差，若套准偏差超过图形的容差，势必会影响电路参数。NPN晶体管的发射区与接触孔两个层次对位出现偏差会导致发射区与基区短路，导致电性不良。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种双极电容结构，以优化传统双极电路工艺制造流程上的不足，缩短发射区退火工艺生产时间，解决某些特殊电路高低压模块中对电容值及电容耐压的要求，以及解决发射区与接触孔光刻对位精度对产品的影响。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种双极双极电容结构，包括：

一半导体衬底，所述半导体衬底的外延层中有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；

淀积在所述半导体衬底上的第一介质层；