[发明专利]激光加工方法及激光加工装置有效

专利信息
申请号: 201280001215.4 申请日: 2012-02-01
公开(公告)号: CN103354770A 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 金田充弘 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00;B23K26/04
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光 加工 方法 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及激光加工方法及激光加工装置。

背景技术

由树脂形成的层间绝缘层和由导体金属形成的导体电路层交替层叠而形成所谓的多层印刷配线板,在层间绝缘层上形成被称作“通路孔”的开口孔。在通路孔的壁面上形成用于将上层和下层电气连接的导电膜。通路孔大多通过激光加工形成。

当前,激光加工装置在XY工作台上配置材料基板,由照相机读取设置在材料基板四角的定位标记,对材料基板的位置、旋转角、及伸缩等的偏差量进行测量。激光加工装置通过基于该测量结果生成对材料基板的偏差量进行校正的加工数据,对电扫描器、XY工作台进行驱动,从而提高通路孔的加工位置的精度(例如,参照专利文献1)。

专利文献1:日本特开2010-162559号公报

发明内容

材料基板由于配线图案、批次的不同、与层叠时加压的波动等相对应的变形,有时会在因伸缩而产生的畸变中出现区域间的差。在现有的加工方法中,由于通过四角的定位标记观测材料基板整体的畸变,因此很难检测出各区域间的畸变之差。在无法准确地检测出在各区域间出现的畸变之差的状态下,生成对材料基板的偏差量进行校正的加工数据,则会使加工位置的精度恶化。近年来,伴随商品的小型化,存在要求高密度化的趋势,因此,期望提高印刷配线板的加工位置的精度。另外,材料基板越大,会在材料基板中发生越复杂的伸缩。在为了提高生产率而使材料基板大型化的情况下,很难使用四角的定位标记对材料基板整体来校正由畸变引起的偏差。

本发明是鉴于上述情况而提出的,目的在于得到可以提高加工位置的精度的激光加工方法及激光加工装置。

为了解决上述课题、实现目的,本发明的特征在于,包含:标记位置测量工序,在该工序中,将作为激光加工的对象的材料基板载置在加工台上,通过拍摄形成在所述材料基板上的定位用标记,测量所述定位用标记的位置;畸变信息获取工序,在该工序中,根据所述标记位置测量工序中的测量结果,获取与所述材料基板的畸变相关的畸变信息;以及位置调节工序,在该工序中,为了对由所述材料基板的畸变引起的所述激光加工的位置偏差进行校正,对应于所述畸变信息,调节向所述材料基板的加工区域入射的激光的行进方向,在所述畸变信息获取工序中,以通过将所述加工区域分割成多个而设定的单片区域为单位,获取所述畸变信息,在所述位置调节工序中,可以针对每个所述单片区域,进行所述行进方向的调节。

发明的效果

在本发明涉及的激光加工方法中,通过以单片区域为单位获取畸变信息,从而可以准确地检测每个区域的畸变,并对加工区域整体的畸变进行观测。通过针对每个单片区域调节激光的行进方向,可以高精度地对加工位置进行校正。由此,可以得到提高加工位置的精度的效果。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的激光加工装置的概略结构的图。

图2是表示用于对激光加工的位置偏差进行校正的结构的框图。

图3是表示设定在工件的加工区域中的单片区域和定位标记的图。

图4是作为实施方式1的对比例,对仅使用形成在加工区域的四角的定位标记而实现的畸变信息的获取进行说明的图。

图5是对实施方式1涉及的畸变信息的获取进行说明的图。

图6是说明激光加工的步骤的流程图。

图7是表示在本发明的实施方式2涉及的激光加工方法中,设定在工件的加工区域中的单片区域和扫描区域的图。

图8是说明第2实施方式的对比例中的扫描区域的设定例的图。

图9是对设定扫描区域为止的步骤进行说明的流程图。

图10是对工作台坐标进行说明的图。

图11是对电控坐标进行说明的图。

图12是表示用于通过本发明的实施方式3涉及的激光加工方法,对激光加工的位置偏差进行校正的结构的框图。

图13是表示用于实施本发明的实施方式4涉及的激光加工方法的结构的框图。

图14是表示向加工控制装置输入的、用于激光加工的数据的概况的图。

具体实施方式

下面,基于附图对本发明涉及的激光加工方法及激光加工装置的实施方式进行详细说明。此外,本发明并不限定于本实施方式。

实施方式1.

图1是表示本发明的实施方式1涉及的激光加工装置的概略结构的图。激光加工装置100向工件4照射激光L,实施工件4的激光开孔加工。工件4是激光加工的对象,例如是构成多层印刷配线板的材料基板。工件4例如形成由树脂形成的绝缘层夹在由铜箔形成的两层导体层中间的三层构造。

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