[发明专利]用于光电、光学或光子部件的底座无效
申请号: | 201280001810.8 | 申请日: | 2012-08-03 |
公开(公告)号: | CN103748491A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | R·A·维斯;P·C·塞瑞卡尔 | 申请(专利权)人: | HOYA美国公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 邹姗姗 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光电 光学 光子 部件 底座 | ||
1.一种装置,包括由一定体积的半导体或介电材料形成的光学底座,所述材料在工作波长范围上是基本透明的,其中:
(a)底座底表面包括4-面凹陷部和位于该底座底表面的前向边缘处的第一3-面凹陷部;
(b)底座布置成引导或透射光信号的一部分以在所述第一3-面凹陷部的后向面的透射区域与底座顶表面的透射区域之间在所述一定体积的半导体或介电材料中传播,光信号至少部分地被所述4-面凹陷部的前向面内反射;
(c)所述4-面凹陷部基本上被底座底表面的一个或多个基本平坦、基本水平、基本共面区域界定;及
(d)所述4-面凹陷部与第一3-面凹陷部由底座底表面的一个或多个基本平坦、基本水平、基本共面区域中的一个隔开。
2.如权利要求1所述的装置,其中底座底表面包括位于该底座底表面的后向边缘处的第二3-面凹陷部,所述4-面凹陷部与第二3-面凹陷部由底座底表面的一个或多个基本平坦、基本水平、基本共面区域中的一个隔开,而且该4-面凹陷部位于第一3-面凹陷部和第二3-面凹陷部之间。
3.如权利要求1所述的装置,其中半导体或介电材料包括晶体材料,而且其中每一个4-面和3-面凹陷部的每个面都基本上与晶体材料的对应晶面一致。
4.如权利要求1所述的装置,其中半导体或介电材料包括晶体材料,而且底座底表面的一个或多个基本平坦、基本水平、基本共面区域基本上与晶体材料的对应晶面一致。
5.如权利要求1至4中任何一项所述的装置,其中底座底表面的一个或多个基本平坦、基本水平、基本共面区域中的至少一个的至少一部分包括金属涂层。
6.如权利要求1至4中任何一项所述的装置,还包括底座顶表面上的一个或多个接触区域,所述接触区域布置成用于在如下位置把光电探测器附连到底座顶表面,该位置使得该光电探测器能够接收通过底座顶表面的透射区域离开底座的光信号的透射部分。
7.如权利要求1至4中任何一项所述的装置,其中底座顶表面的透射区域包括在其上形成的介电抗反射层。
8.如权利要求1至4中任何一项所述的装置,还包括在如下位置附连到底座顶表面的光电探测器,该位置使得该光电探测器能够接收通过第一3-面凹陷部的后向面的透射区域进入光学底座、从4-面凹陷部的前向面内反射并且通过底座顶表面的透射区域离开光学底座的光信号的一部分。
9.如权利要求1至4中任何一项所述的装置,其中半导体或介电材料是半导体材料。
10.如权利要求9所述的装置,其中半导体材料包括掺杂或未掺杂的IV族半导体、掺杂或未掺杂的III-V族半导体或者掺杂或未掺杂的II-VI族半导体。
11.如权利要求9所述的装置,其中半导体材料是掺杂或未掺杂的硅。
12.如权利要求9所述的装置,其中工作波长范围在大约1.2μm和大约1.7μm之间。
13.如权利要求1至4中任何一项所述的装置,其中半导体或介电材料是介电材料。
14.如权利要求1所述的装置,其中:
(e)底座底表面包括一组或多组4-面凹陷部,每一组都包括两个或更多个相邻的4-面凹陷部及底座底表面的一个或多个居间的基本平坦、基本水平、基本共面区域;及
(f)每一组的居间区域都形成布置成用于在衬底上定位光学底座的对应对准标记。
15.如权利要求14所述的装置,其中每一组4-面凹陷部和居间区域都包括金属涂层。
16.如权利要求14或15中任何一项所述的装置,其中每一组都包括(i)矩形布置中的四个4-面凹陷部和(ii)形成对应十字形对准标记的底座底表面的四个居间区域。
17.如权利要求14或15中任何一项所述的装置,其中每个阵列都包括(i)三个4-面凹陷部和(ii)形成对应L形或T形对准标记的底座底表面的两个居间区域。
18.如权利要求14或15中任何一项所述的装置,其中每个阵列都包括(i)两个4-面凹陷部和(ii)形成对应线性对准标记的底座底表面的一个居间区域。
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