[发明专利]切割用粘合片及使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201280002593.4 申请日: 2012-07-02
公开(公告)号: CN103081070A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 佐佐木贵俊;水野浩二;浅井文辉;志贺豪士 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;C09J7/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 切割 粘合 使用 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种切割用粘合片,其特征在于,其为具有基材和设置在所述基材上的粘合剂层的切割用粘合片,

在所述粘合剂层中,相对于100重量份树脂固体成分,含有0.02~5重量份的紫外线吸收剂,

所述切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30~80%。

2.根据权利要求1所述的切割用粘合片,其特征在于,所述基材在波长355nm下的透光率为70~100%。

3.根据权利要求1所述的切割用粘合片,其特征在于,所述基材是多层的。

4.根据权利要求1所述的切割用粘合片,其特征在于,所述基材的比热为1.0~3.0J/gK。

5.根据权利要求1所述的切割用粘合片,其特征在于,所述基材的熔点为90℃以上。

6.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括如下工序:

贴合工序,将权利要求1~5中的任一项所述的切割用粘合片贴合于在表面形成有低介电材料层的半导体晶圆的背面;和

激光划片工序,自表面侧对所述半导体晶圆照射紫外线激光束来裁切低介电材料层。

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