[发明专利]切割用粘合片及使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法无效
申请号: | 201280002593.4 | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN103081070A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 佐佐木贵俊;水野浩二;浅井文辉;志贺豪士 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 粘合 使用 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种切割用粘合片,其特征在于,其为具有基材和设置在所述基材上的粘合剂层的切割用粘合片,
在所述粘合剂层中,相对于100重量份树脂固体成分,含有0.02~5重量份的紫外线吸收剂,
所述切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30~80%。
2.根据权利要求1所述的切割用粘合片,其特征在于,所述基材在波长355nm下的透光率为70~100%。
3.根据权利要求1所述的切割用粘合片,其特征在于,所述基材是多层的。
4.根据权利要求1所述的切割用粘合片,其特征在于,所述基材的比热为1.0~3.0J/gK。
5.根据权利要求1所述的切割用粘合片,其特征在于,所述基材的熔点为90℃以上。
6.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括如下工序:
贴合工序,将权利要求1~5中的任一项所述的切割用粘合片贴合于在表面形成有低介电材料层的半导体晶圆的背面;和
激光划片工序,自表面侧对所述半导体晶圆照射紫外线激光束来裁切低介电材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造