[发明专利]切割用粘合片及使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及切割用粘合片。尤其涉及在具有激光划片工序的半导体装置的制造方法中使用的切割用粘合片。另外本发明涉及使用了前述切割用粘合片的半导体装置的制造方法。

背景技术

目前，存在将激光切割片粘贴于半导体晶圆后，对前述半导体晶圆照射激光束，将该半导体晶圆单片化的半导体芯片的制造方法（所谓激光切割）（例如参照专利文献1、专利文献2）。在专利文献1所记载的半导体芯片的制造方法中，将激光切割片粘贴在半导体晶圆上，在使激光切割片吸附于吸附工作台的状态下对半导体晶圆进行加工。另外，在专利文献2所记载的半导体芯片的制造方法中，自激光切割片的粘贴面侧对半导体晶圆照射激光束。

另外，目前，随着形成于半导体芯片的电路图案的微细化，电路之间的距离变近，因此接近的电路间的电容增大。于是，与其成比例地产生流过电路的信号变得迟缓这样的现象（信号延迟）。因此，提出了使用介电常数低的所谓low-k材料（低介电材料）在电路上形成低介电材料层、降低电路间电容的方案。

作为上述低介电材料层，例如可列举出SiO₂膜（相对介电常数k＝4.2）、SiOF膜（k＝3.5～3.7）、SiOC膜（k＝2.5～2.8）等。这种低介电材料层例如在半导体晶圆上通过等离子体CVD法形成。

然而，上述那样的低介电材料层非常脆，有在切割工序中产生裂纹、引起半导体元件的工作异常的担心。因此，近年来，采取了使用激光先除去低介电材料层（激光划片）再用刀片等进行切割的手法（例如参照专利文献3）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-56329号公报

专利文献2：日本特开2010-73897号公报

专利文献3：日本特开2010-093273号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1所记载的半导体芯片的制造方法中，由于在将激光切割片吸附于吸附工作台的状态下加工半导体晶圆，因此尤其在加工半导体晶圆的边缘部分时，存在有时会因激光束而使吸附工作台损伤这样的问题。另外，在专利文献2所记载的半导体芯片的制造方法中，由于激光束以高透过率透过激光切割片，因此尤其存在高强度的激光束到达未粘贴半导体晶圆的部分的背后这样的问题。另外，即使在专利文献3所公开的这种激光划片工序中，也与在专利文献1等中公开的激光切割同样，尤其在加工半导体晶圆的边缘部分时，存在有时因激光束而使吸附工作台损伤这样的问题。

本发明是鉴于前述问题而做出的，其目的在于提供在对半导体晶圆进行激光划片时可防止吸附工作台损伤的切割用粘合片以及使用了该切割用粘合片的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本申请的发明人等为了解决上述现有的问题而进行了研究，结果发现：如果使构成切割用粘合片的粘合剂层中含有规定量的紫外线吸收剂，将切割用粘合片在波长355nm下的透光率设定在一定范围内，则可以防止由激光束而导致吸附工作台损伤，从而完成本发明。

即，本发明涉及的切割用粘合片的特征在于，其为具有基材和设置在前述基材上的粘合剂层的切割用粘合片，在前述粘合剂层中，相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02～5重量份的紫外线吸收剂，前述切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30～80%。

根据前述技术方案，在粘合剂层中相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02～5重量份的紫外线吸收剂，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30～80%。由于在粘合剂层中的紫外线吸收剂的含量相对于100重量份树脂固体成分为0.02重量份以上，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为80%以下，因此在通过激光束的光吸收烧蚀对半导体晶圆上形成的低介电材料层进行裁切时，能够通过粘合剂层吸收激光束，减少至吸附工作台的到达量。其结果，能够防止吸附工作台损伤。另外，由于在粘合剂层中的紫外线吸收剂的含量相对于100重量份树脂固体成分为5重量份以下，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30%以上，因此在激光吸收之际，能够防止胶带的熔融。

在前述技术方案中，前述基材在波长355nm下的透光率优选为70～100%。前述基材在波长355nm下的透光率为70～100%时，基材处的激光束的吸收比较少，对基材的损伤少。其结果，在切割、扩晶（expand）之际，能够防止切割用粘合片开裂。