[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法有效
申请号: | 201280002810.X | 申请日: | 2012-05-01 |
公开(公告)号: | CN103098134A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 安宅丰路;竹野入俊司;渡边贞幸;大山浩永;穗积康彰;高桥学士 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/738 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
1.一种垂直磁记录介质,其在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层,该垂直磁记录介质的特征在于:
所述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成,并且所述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:
所述CoCrRuW合金中,Cr量为14.5at.%以上且25.5at.%以下,Ru量为4.5at.%以上且20.5at.%以下,W量为4.5at.%以上且8.5at.%以下,并且剩余部分为Co。
3.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:
所述磁记录层包含颗粒结构。
4.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:
所述第一非磁性中间层具有5~14nm的膜厚。
5.一种垂直磁记录介质的制造方法,其特征在于:
包括在非磁性基板上至少依次叠层第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层的工序,
所述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成,并且所述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。
6.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于:
所述CoCrRuW合金中,Cr量为14.5at.%以上且25.5at.%以下,Ru量为4.5at.%以上且20.5at.%以下,W量为4.5at.%以上且8.5at.%以下,并且剩余部分为Co。
7.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于:
所述磁记录层包含颗粒结构。
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