[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280002810.X 申请日: 2012-05-01
公开(公告)号: CN103098134A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 安宅丰路;竹野入俊司;渡边贞幸;大山浩永;穗积康彰;高桥学士 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/738
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 垂直 记录 介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种垂直磁记录介质,其在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层,该垂直磁记录介质的特征在于:

所述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成,并且所述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。

2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:

所述CoCrRuW合金中,Cr量为14.5at.%以上且25.5at.%以下,Ru量为4.5at.%以上且20.5at.%以下,W量为4.5at.%以上且8.5at.%以下,并且剩余部分为Co。

3.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:

所述磁记录层包含颗粒结构。

4.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:

所述第一非磁性中间层具有5~14nm的膜厚。

5.一种垂直磁记录介质的制造方法,其特征在于:

包括在非磁性基板上至少依次叠层第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层的工序,

所述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成,并且所述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。

6.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于:

所述CoCrRuW合金中,Cr量为14.5at.%以上且25.5at.%以下,Ru量为4.5at.%以上且20.5at.%以下,W量为4.5at.%以上且8.5at.%以下,并且剩余部分为Co。

7.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于:

所述磁记录层包含颗粒结构。

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