[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及搭载于各种磁记录装置中的垂直磁记录介质。更详细而言，涉及搭载于用作计算机、AV设备等的外部存储装置的硬盘驱动器中的能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。

背景技术

近年来，用作硬盘驱动器（HDD）的磁记录介质，采用垂直磁记录方式作为进一步实现磁记录的高密度化的技术。其层结构为例如在非磁性基体上依次叠层基底层、磁记录层、保护膜、液体润滑层而形成。垂直磁记录方式中，垂直磁记录介质中所记录的记录位（recorded bits），因邻接的记录位的反磁场的影响，具有越是高记录密度、剩余磁化强度的大小越稳定的优点。其结果，垂直磁记录介质也能够实现优良的耐热波动性。

于是，研究了各种使垂直磁记录介质的记录密度进一步高密度化的方法。例如在被称为双层垂直磁记录介质的方法中，使用在基底层与基板之间具有软磁衬里层的介质。在双层垂直磁记录介质中，由于软磁衬里层使从磁头产生的磁场急剧地集中，所以磁场梯度减小，减少了信号的写入扩散的影响（例如，参照《垂直磁気記録の最新技術》(垂直磁记录的最新技术)中村广久主编CMC Publishing CO.,LTD.出版（2007）第127-131页（非专利文献1）等）。

此外，为了实现垂直磁记录介质的进一步的高记录密度，研究了磁性晶粒的细微化、其分离性的提高、以及作为磁性层的易磁化轴的c轴的取向分散Δθ50的减少等，提出了以下所示的具有各种层结构的垂直磁记录介质。

例如，日本特开2008-34060号公报公开了包括软磁衬里层、以NiCr、NiCu为主要成分的具有fcc结构的取向控制基底层和包含具有hcp结构的垂直磁化膜的记录层的垂直记录介质（参照专利文献1）。此外，日本特开2008-34060号公报中公开了在取向控制基底层中进一步添加Fe、Al、Rh、Pd、Ag、Pt和Au中的至少一种，在取向控制基底层的下侧使用以Ta、W、Mo中的至少一种为主要成分的非磁性非晶层，以及，在取向控制基底层与记录层之间使用包含Ru合金或Ti中的一种的取向控制中间层。

此外在日本特开2010-44842号公报中，公开了在基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的磁记录介质，其中，取向控制层具有至少具有籽晶层（seed layer）和中间层的叠层结构，籽晶层配置在比中间层更靠基板一侧，并且籽晶层中具有以Cu为主要成分的Cu-Ti合金层（参照专利文献2）。此外公开了中间层以含有Ru、Re或它们的合金中的至少任何一种的合金材料为主要材料，并具有hcp结构。进而，公开了通过使中间层双层化而同时实现晶体取向和细微化。

日本特开2002-358617号公报公开了在非磁性基体上依次具有基底层、磁记录层、保护层、液体润滑层的垂直磁记录介质，其特征在于基底层含有非磁性NiFeCr（参照专利文献3）。进而，记载了在基底层与磁记录层之间，包括含有CoCr、CoCrB、Ru、Pd的非磁性材料中的任意材料的中间层。

此外，日本特开2003-168207号公报中，公开了在非磁性基体上依次具有软磁衬里层、中间层、CoCr类合金层的磁性层、保护层和液体润滑层的垂直磁记录介质，磁性层包括颗粒（granular）结构的第一磁性层和非颗粒结构的第二磁性层（参照专利文献4）。进而，中间层由具有hcp结构的含有Ti、Re、Ru、Os中的至少一种金属的合金构成。

日本特开2005-196898号公报公开了在非磁性基体上依次叠层有籽晶层、基底层、磁记录层和被覆层的垂直磁记录介质，磁记录层具有由不同材料构成的磁性层叠层而成的结构（参照专利文献5）。此外分别公开了使用NiFe合金或对NiFe至少添加了B、Si、Nb、Mo中的任何一种的合金、或者使用Co或对Co至少添加了B、Si、Nb、Mo、Fe、Ni中的任何一种的合金作为籽晶层，而且公开了例如使用Ti、Zr、Ru、Zn、Tc、Re等hcp结构的金属、或Cu、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Ni、Co等fcc结构的金属作为基底层。

在日本特开2006-277950号公报中，公开了在非磁性基体上依次叠层有软磁衬里层、中间层、CoCr类合金层的磁性层、保护层和液体润滑剂层的垂直磁记录介质，其中，磁性层包括颗粒结构的第一磁性层和非颗粒结构的第二磁性层（参照专利文献6）。此外，公开了中间层包含具有hcp晶体结构的Ti、Re、Ru、Os中的任意金属、或含有Ti、Re、Ru、Os中至少一种金属的合金。