[发明专利]执行芯片级别上减少电磁干扰的方法及对应装置

权利要求书

1.一种执行芯片级别上减少电磁干扰的方法，该方法运用于电子装置，且该方法包括：

在该电子装置的至少一个芯片内部提供至少一个电磁干扰抑制电路；以及

使用该至少一个芯片内部的该至少一个电磁干扰抑制电路以对该至少一个芯片内部的至少一个信号执行减少电磁干扰的操作。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一个芯片包括第一芯片和第二芯片；且该至少一个电磁干扰抑制电路包括第一电磁干扰抑制电路和第二电磁干扰抑制电路，其中，该第一电磁干扰抑制电路位于该第一芯片内部，且该第二电磁干扰抑制电路位于该第二芯片内部。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该至少一个信号包括第一信号和第二信号，其中，该第一信号位于该第一芯片内部，且该第二信号位于该第二芯片内部；且使用该至少一个芯片内部的该至少一个电磁干扰抑制电路以对该至少一个芯片内部的该至少一个信号执行减少电磁干扰的操作更包括：

使用位于该第一芯片内部的该第一电磁干扰抑制电路以对该第一芯片内部的该第一信号执行减少电磁干扰的操作；以及

使用位于该第二芯片内部的该第二电磁干扰抑制电路以对该第二芯片内部的该第二信号执行减少电磁干扰的操作。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一个芯片包括第一芯片；且该至少一个电磁干扰抑制电路包括第一电磁干扰抑制电路和第二电磁干扰抑制电路，其中，该第一电磁干扰抑制电路和该第二电磁干扰抑制电路位于该第一芯片内部。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该至少一个信号包括第一信号和第二信号，其中，该第一信号和该第二信号都位于该第一芯片内部；且使用该至少一个芯片内部的该至少一个电磁干扰抑制电路以对该至少一个芯片内部的该至少一个信号执行减少电磁干扰的操作更包括：

使用位于该第一芯片内部的该第一电磁干扰抑制电路以对该第一芯片内部的该第一信号执行减少电磁干扰的操作；以及

使用位于该第一芯片内部的该第二电磁干扰抑制电路以对该第二芯片内部的该第二信号执行减少电磁干扰的操作。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一个芯片包括第一芯片；且该至少一个电磁干扰抑制电路包括第一电磁干扰抑制电路，其中，该第一电磁干扰抑制电路位于该第一芯片内部。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该至少一个信号包括第一信号，其中，该第一信号位于该第一芯片内部；且使用该至少一个芯片内部的该至少一个电磁干扰抑制电路以对该至少一个芯片内部的该至少一个信号执行减少电磁干扰的操作更包括：

使用位于该第一芯片内部的该第一电磁干扰抑制电路以对该第一芯片内部的该第一信号执行减少电磁干扰的操作。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该第一电磁干扰抑制电路电性连接至该第一芯片的内部信号路径；且该内部信号路径耦接于该第一芯片的输入/输出面板。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该第一电磁干扰抑制电路的至少一个非接地端电性连接至该第一芯片的内部信号路径；且该第一电磁干扰抑制电路的至少一个接地端电性连接至该第一芯片的地面或虚拟地面。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用该至少一个芯片内部的该至少一个电磁干扰抑制电路以对该至少一个芯片内部的该至少一个信号执行减少电磁干扰的操作更包括：

使用该至少一个芯片内部的该至少一个电磁干扰抑制电路以对该至少一个芯片内部的该至少一个信号执行减少电磁干扰的操作，从而减少该至少一个芯片外部的至少一个信号路径的辐射。

11.一种执行芯片级别上减少电磁干扰的装置，该装置包括电子装置的至少一部分，且该装置包括：

该电子装置的至少一个芯片；以及

集成在该至少一个芯片中的至少一个电磁干扰抑制电路，其中，该至少一个芯片内部的该至少一个电磁干扰抑制电路用于对该至少一个芯片内部的至少一个信号执行减少电磁干扰的操作。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，该至少一个芯片包括第一芯片和第二芯片；且该至少一个电磁干扰抑制电路包括第一电磁干扰抑制电路和第二电磁干扰抑制电路，其中，该第一电磁干扰抑制电路位于该第一芯片内部，且该第二电磁干扰抑制电路位于该第二芯片内部。