[发明专利]电力接收装置及使用其的非接触式电力传送系统无效
申请号: | 201280004220.0 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN103262389A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 三品浩一;佐藤光治 | 申请(专利权)人: | NEC东金株式会社 |
主分类号: | H02J17/00 | 分类号: | H02J17/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 接收 装置 使用 接触 传送 系统 | ||
1.一种电力接收装置,具备:
电力接收天线电路,在非接触式电力传送系统中接收自供电装置传送来的电力;
谐振电容器;
整流电路,将所述电力接收天线电路所接收到的电力予以整流;
频率变换电路,对所述电力接收天线电路的电力接收频率进行变换;以及
驱动电路,驱动所述频率变换电路;
所述电力接收天线电路具有2个端子;
所述谐振电容器连接于所述电力接收天线电路的2个所述端子之间;
所述整流电路为单相桥式整流电路,具有:输入端子,分别与所述电力接收天线电路的2个所述端子连接;接地端子;以及整流输出端子,输出整流过的直流电压;
所述频率变换电路具备:第1阻抗,一端与所述电力接收天线电路的一个端子相连接;第2阻抗,一端与所述电力接收天线电路的另一端子相连接;以及半导体开关电路,被连接于所述第1阻抗的另一端与所述第2阻抗的另一端之间;
所述半导体开关电路具有作为电路中点的中心分接头,且具有相对于所述中心分接头对称的电路构造;
所述中心分接头与所述整流电路的所述接地端子相连接;
所述驱动电路与所述整流输出端子连接并根据所述直流电压使所述半导体开关电路接通。
2.根据权利要求1所述的电力接收装置,其中,
所述第1阻抗与所述第2阻抗为具有彼此相等的静电容量的电容器。
3.根据权利要求1或2所述的电力接收装置,其中,
当从所述整流输出端子输出的所述直流电压达到既定值时,所述驱动电路使该半导体开关电路接通。
4.根据权利要求3所述的电力接收装置,其中,
所述驱动电路具备感测所述直流电压的变动用的齐纳二极管;
所述既定值是所述齐纳二极管的击穿电压。
5.根据权利要求4所述的电力接收装置,其中,
所述齐纳二极管的阳极与所述半导体开关电路相连接。
6.根据权利要求4所述的电力接收装置,其中,
所述驱动电路还具备驱动电压生成电路,该驱动电压生成电路连接于所述齐纳二极管的阳极与所述半导体开关电路之间,在所述齐纳二极管被击穿时生成驱动该半导体开关电路的驱动电压。
7.根据权利要求6所述的电力接收装置,其中,
所述驱动电压生成电路在输入输出关系中具有滞后现象。
8.根据权利要求6所述的电力接收装置,其中,
所述驱动电压生成电路在所述齐纳二极管被击穿时将脉冲作为所述驱动电压供给至所述半导体开关电路。
9.根据权利要求3所述的电力接收装置,其中,
所述驱动电路具备:
基准电压生成电路,用以生成基准电压;以及
滞后比较器,根据所述基准电压及所述整流过的直流电压来驱动所述半导体开关电路。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的电力接收装置,其中,
所述半导体开关电路具有至少2个N沟道的FET;
所述2个FET的栅极互相电连接;
所述2个FET的源极互相连接;
自所述源极间的连接点引出所述中心分接头。
11.根据权利要求1~9中任一项所述的电力接收装置,其中,
所述半导体开关电路具有至少2个npn型的双极性晶体管;
所述2个双极性晶体管的基极互相电连接;
所述2个双极性晶体管的发射极互相连接;
自所述发射极间的连接点引出所述中心分接头。
12.一种非接触式电力传送系统,具备:
权利要求1~11中任一项所述的电力接收装置;以及供电装置。
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