[发明专利]电力接收装置及使用其的非接触式电力传送系统无效
申请号: | 201280004220.0 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN103262389A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 三品浩一;佐藤光治 | 申请(专利权)人: | NEC东金株式会社 |
主分类号: | H02J17/00 | 分类号: | H02J17/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 接收 装置 使用 接触 传送 系统 | ||
技术领域
本发明涉及在充电器等的供电装置与搭载于便携式电子机器等的电力接收装置之间以非接触的方式传送电力的非接触式电力传送系统,尤其涉及电力接收装置。
背景技术
例如,以非接触的方式自1个给电装置向多个电力接收装置传送电力时,有各个电力接收装置所需要的电力不同的情况。此外,亦有因电力接收装置中的负载的状态发生变化,而该电力接收装置所需要的电力量改变的情况。该情况下,有在电力接收装置中进行电力控制的必要。具备进行电力控制的电力接收装置的非接触式电力传送系统,例如如专利文献1所公开的。专利文献1的电力接收装置作为整流电路而具备半波整流电路。
[在先技术文献]
[专利文献]
专利文献1日本特开2005-278400号公报,实施方式6~9
发明内容
-发明所要解决的技术问题-
然而,在专利文献1的电力接收装置中存在电力的利用效率低等问题。
本发明的目的在于提供一种可谋求提升电力的利用效率的电力接收装置。
-用于解决技术问题的方案-
本发明提供的第1电力接收装置,具备;
电力接收天线电路,在非接触式电力传送系统中接收自供电装置传送来的电力;谐振电容器;整流电路,将所述电力接收天线电路所接收的电力予以整流;频率变换电路,用于变换所述电力接收天线电路的电力接收频率;以及驱动电路,驱动所述频率变换电路;
所述电力接收天线电路具有2个端子;
所述谐振电容器连接于所述电力接收天线电路的2个所述端子间;
所述整流电路为单相桥式整流电路,具有:输入端子,分别与所述电力接收天线电路的2个所述端子连接;接地端子;以及整流输出端子,输出整流过的直流电压;
所述频率变换电路具备;第1阻抗,一端与所述电力接收天线电路的一个端子相连接;第2阻抗,一端与所述电力接收天线电路的另一端子相连接;以及半导体开关电路,连接于所述第1阻抗的另一端与所述第2阻抗的另一端之间;
所述半导体开关电路作为电路中点而具有中心分接头,且具有相对于所述中心分接头对称的电路构造;
所述中心分接头与所述整流电路的所述接地端子相连接;
所述驱动电路与所述整流输出端子连接并根据所述直流电压使所述半导体开关电路为导通。
此外,本发明提供的第2电力接收装置,在第1电力接收装置中,
所述第1阻抗与所述第2阻抗为具有彼此相等的静电容量的电容器。
此外,本发明提供的第3电力接收装置,在第1或第2电力接收装置中,
所述驱动电路,若自所述整流输出端子输出的所述直流电压达到既定值则使所述半导体开关电路为导通。
此外,本发明提供的第4电力接收装置,在第3电力接收装置中,
所述驱动电路具备感测所述直流电压的变动用的齐纳二极管;
所述既定值为所述齐纳二极管的击穿电压。
此外,本发明提供的第5电力接收装置,在第4电力接收装置中,
所述齐纳二极管的阳极与所述半导体开关电路相连接。
此外,本发明提供的第6电力接收装置,在第4电力接收装置中,
所述驱动电路还具备驱动电压生成电路,该驱动电压生成电路连接于所述齐纳二极管的阳极与所述半导体开关电路之间,且在所述齐纳二极管被击穿时生成驱动所述半导体开关电路的驱动电压。
此外,本发明提供的第7电力接收装置,在第6电力接收装置中,
所述驱动电压生成电路在输入输出关系中具有滞后现象。
此外,本发明提供的第8电力接收装置,在第6电力接收装置中,
所述驱动电压生成电路,在所述齐纳二极管被击穿时将脉冲作为所述驱动电压供给至所述半导体开关电路。
此外,本发明提供的第9电力接收装置,在第3电力接收装置中,
所述驱动电路具备:基准电压生成电路,生成基准电压;以及滞后比较器,根据所述基准电压及所述整流过的直流电压来驱动所述半导体开关电路。
此外,本发明提供的第10电力接收装置,在第1至第8的任一电力接收装置中,
所述半导体开关电路至少具有2个Nch的FET(Field Effect Transistor,场效应晶体管);
所述2个FET的栅极互相电连接;
所述2个FET的源极互相连接;
自所述源极间的连接点引出所述中心分接头。
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