[发明专利]具有短路容许结构的OLED照明装置有效
申请号: | 201280005126.7 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN103348477B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 马瑞清;庞惠卿;彼得·莱弗莫尔;普拉沙安特·曼德利克;杰弗里·西尔韦纳伊尔;卡马拉·拉扬;杰森·佩因特 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 王璐 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 短路 容许 结构 oled 照明 装置 | ||
1.一种第一装置,其包括:
衬底;
多个OLED电路元件,其安置于所述衬底上,其中所述OLED电路元件中的每一者包括一个且仅一个像素,且其中所述OLED电路元件中的每一者包含熔丝;
其中所述熔丝经调适以响应于所述像素中的过剩电流而断开电连接;
其中每一像素进一步包括:
第一电极;
第二电极;以及
有机电致发光EL材料,其安置于所述第一电极与所述第二电极之间;
其中所述多个OLED电路元件中的每一者不与所述OLED电路元件中的任何其它OLED电路元件串联电连接。
2.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述像素具有最大操作电流,且所述熔丝经调适以响应于比所述最大操作电流大10%的电流而断开。
3.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述像素具有最大操作电流,且所述熔丝经调适以响应于比所述最大操作电流大50%的电流而断开。
4.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述像素具有最大操作电流,且所述熔丝经调适以响应于比所述最大操作电流大100%的电流而断开。
5.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述像素具有最大操作电流,且所述熔丝经调适以响应于比所述最大操作电流大200%的电流而断开。
6.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述像素与所述熔丝串联电连接。
7.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述多个OLED电路元件中的每一者的所述像素中的所述第一电极或所述第二电极为所述熔丝。
8.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述第一装置为照明面板。
9.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述第一装置为消费型装置。
10.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述多个OLED电路元件中的每一者的所述像素具有在0.001cm2与5cm2之间的表面积。
11.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述多个OLED电路元件包括至少10个OLED电路元件。
12.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述OLED电路元件中的每一者的所述像素的所述表面积构成所述第一装置的表面积的不超过10%。
13.根据权利要求1所述的第一装置,其中所述第一电极是经图案化的。
14.根据权利要求13所述的第一装置,其中所述第二电极未经图案化。
15.根据权利要求13所述的第一装置,其中所述第一电极为阳极,且所述第二电极为阴极。
16.根据权利要求13所述的第一装置,其中所述第一电极为阴极,且所述第二电极为阳极。
17.根据权利要求13所述的第一装置,其中所述第二电极安置于所述衬底上方,所述有机EL材料安置于所述第二电极上方,且所述第一电极安置于所述有机EL材料上方。
18.根据权利要求13所述的第一装置,其中所述第一电极安置于所述衬底上方,所述有机EL材料安置于所述第一电极上方,且所述第二电极安置于所述有机EL材料上方。
19.根据权利要求17所述的第一装置,其进一步包括:
多个分段总线线路;
其中所述多个分段总线线路将所述多个OLED电路元件中的每一者的所述第一电极电连接在一起。
20.根据权利要求19所述的第一装置,其中所述多个OLED电路元件中的每一者的所述第一电极为所述熔丝。
21.根据权利要求20所述的第一装置,其中所述多个OLED电路元件中的每一者的所述第一电极具有一厚度以使得所述第一电极响应于过剩电流而被烧蚀。
22.根据权利要求20所述的第一装置,其中所述多个OLED电路元件中的每一者的所述第一电极具有在1nm与60nm之间的厚度。
23.根据权利要求20所述的第一装置,其中所述多个OLED电路元件中的每一者的所述第一电极具有在0.1Ω/sq与500Ω/sq之间的薄层电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的