[发明专利]具有短路容许结构的OLED照明装置有效
申请号: | 201280005126.7 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN103348477B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 马瑞清;庞惠卿;彼得·莱弗莫尔;普拉沙安特·曼德利克;杰弗里·西尔韦纳伊尔;卡马拉·拉扬;杰森·佩因特 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 王璐 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 短路 容许 结构 oled 照明 装置 | ||
相关申请案交叉参考
本申请案依据35U.S.C.§119(e)主张在2011年1月12日提出申请的第61/431985号美国临时专利申请案的权益;所述临时专利申请案出于所有目的且以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及具有有机发光装置的装置,且更明确地说涉及具有包含短路容许结构的有机发光装置的装置。
背景技术
多种原因使得使用有机材料的光电子装置变得越来越合意。用以制作此些装置的许多材料相对便宜,因此有机光电子装置具有优于无机装置的成本优点的潜能。另外,有机材料的固有性质(例如其柔性)可使其非常适于特定应用(例如柔性衬底上的制作)。有机光电子装置的实例包含有机发光装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池及有机光电检测器。对于OLED,有机材料可具有优于常规材料的性能优点。举例来说,有机发射层所发射光的波长通常可容易地用适当掺杂剂进行调谐。
OLED使用在跨越装置施加电压时发光的有机薄膜。OLED正变成供在例如平板显示器、照明及背光照明等应用中使用的越来越令人感兴趣的技术。第5,844,363号、第6,303,238号及第5,707,745号美国专利中描述数种OLED材料及配置,所述专利以全文引用的方式并入本文中。
磷光发射分子的一种应用为全色彩显示器。此显示器的工业标准要求像素经调适以发射特定色彩(称为“饱和”色彩)。明确地说,这些标准要求饱和的红色、绿色及蓝色像素。色彩可使用此项技术中众所周知的CIE坐标测量。
绿色发射分子的一个实例为三(2-苯基吡啶)铱(表示为Ir(ppy)3),其具有化学式I的结构:
在此处及本文中随后的图中,将从氮到金属(此处为Ir)的配位键描绘为直线。
如本文中所使用,术语“有机”包含可用以制作有机光电子装置的聚合物材料以及小分子有机材料。“小分子”指并非聚合物的任何有机材料,且“小分子”实际上可相当大。在一些情况下,小分子可包含重复单元。举例来说,使用长链烷基作为取代基不能将分子排除在“小分子”家族外。小分子还可(举例来说)作为聚合物主链上的侧基或作为所述主链的一部分并入到聚合物中。小分子还可用作树枝状聚合物的核心部分,所述树枝状聚合物由建筑于核心部分上的一系列化学壳体组成。树枝状聚合物的核心部分可为荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可为“小分子”,且拒信当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物均为小分子。
如本文中所使用,“顶部”意指距衬底最远,而“底部”意指最靠近衬底。在将第一层描述为“安置于”第二层“上方”的情况下,所述第一层安置于较远离衬底的地方。除非规定第一层“与”第二层“接触”,否则在第一层与第二层之间可能存在其它层。举例来说,阴极可描述为“安置于”阳极“上方”,即使在其间存在各种有机层的情况下也如此。
如本文中所使用,“可处理的溶液”意指能够在液体介质中溶解、分散或输送及/或从液体介质沉积,所述液体介质呈溶液或悬浮液形式。
当认为配位体直接有助于发射材料的光活性性质时,所述配位体可称为“光活性的”。当认为配位体并不有助于发射材料的光活性性质但辅助配位体可更改光活性配位体的性质时,所述配位体可称为“辅助的”。
如本文中所使用且如所属领域的技术人员通常所理解,如果第一“最高占据分子轨道”(HOMO)或“最低未占据分子轨道”(LUMO)能级距真空能级更近,那么所述第一能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量,因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(不太负的IP)。类似地,较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和力(EA)(不太负的EA)。在其中真空能级在顶部处的常规能级图上,材料的LUMO能级高于同一材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级看来比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近此图的顶部。
如本文所使用且如所属领域的技术人员通常所理解,如果第一功函数具有较高绝对值,那么所述第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。由于功函数通常测量为相对于真空能级的负数,因此此意味着“较高”功函数为较负的。在其中真空能级在顶部处的常规能级图上,“较高”功函数图解说明为沿向下方向较远离真空能级。因此,HOMO及LUMO能级的定义遵循不同于功函数的惯例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的