[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜

权利要求书

1.一种高纯度镧的制造方法，其特征在于，以除气体成分以外的纯度为2N～3N的粗镧氧化物原料为起始材料，在450～700℃的浴温下进行熔盐电解得到镧结晶，然后在将该镧结晶进行脱盐处理后，进行电子束熔炼而除去挥发性物质。

2.如权利要求1所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，使用包含氯化钾(KCl)、氯化锂(LiCl)、氯化镧(LaCl₃)的电解浴作为熔盐电解浴。

3.如权利要求1或2所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，使用Ta制阳极进行熔盐电解。

4.如权利要求1～3中任一项所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，使用脱盐炉在850℃以下的温度下进行真空加热，并利用蒸气压差将金属物质和盐分离，由此进行脱盐处理。

5.如权利要求1～4中任一项所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，将除气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧原料利用钙还原，制作纯度为4N以上的镧，将该还原得到的镧作为起始原料。

6.如权利要求1～5中任一项所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，将熔盐电解得到的镧结晶进一步进行凝壳熔炼(感应熔炼)，并对凝壳熔炼后的锭进行电子束(EB)熔炼。

7.如权利要求6所述的金属镧的制造方法，其特征在于，所述凝壳熔炼后以在除底部以外的镧锭内部不存在氧化物的偏析部的方式缓慢冷却后，将该通过缓慢冷却得到的凝壳锭进行机械加工而除去存在于锭底部的氧化物和氯化物，然后将该锭酸洗后进行电子束(EB)熔炼。

8.一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，且作为杂质的Al、Fe和Cu分别为1重量ppm以下。

9.如权利要求8所述的高纯度镧，其特征在于，作为杂质的W、Mo和Ta的总量为10重量ppm以下。

10.如权利要求8或9所述的高纯度镧，其特征在于，作为杂质的Pb的含量为0.1重量ppm以下，作为杂质的Bi的含量为0.01重量ppm以下，作为杂质的U和Th分别为1ppb以下。

11.一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，且α射线计数为0.001cph/cm²以下。

12.如权利要求8或9所述的高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，且α射线计数为0.001cph/cm²以下。

13.如权利要求8～12中任一项所述的高纯度镧，其为由除气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧得到的高纯度镧，其特征在于，除气体成分以外的纯度为4N5以上，C为200重量ppm以下，Al和Fe分别为5重量ppm以下，Cu为1重量ppm以下。

14.如权利要求8～13中任一项所述的高纯度镧，其特征在于，W、Mo和Ta的总量为1～10重量ppm。

15.如权利要求8～14中任一项所述的高纯度镧，其特征在于，气体成分的总量为1000重量ppm以下。

16.如权利要求8～15中任一项所述的金属镧，其特征在于，金属镧中的氧浓度为500重量ppm以下。

17.一种溅射靶，其包含权利要求8～16中任一项所述的高纯度镧。

18.一种金属栅膜，其通过使用权利要求17的溅射靶进行成膜而得到。

19.一种半导体元件和器件，其具备权利要求18所述的金属栅膜。