[发明专利]锂二次电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201280006228.0 申请日: 2012-01-13
公开(公告)号: CN103329330A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 武泽秀治 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01M10/052 分类号: H01M10/052;H01M4/13;H01M4/131;H01M4/139;H01M4/1395;H01M4/525;H01M10/058
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 二次 电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种锂二次电池,包含:

具有能够吸藏和释放锂离子的正极活性物质的正极;

具有能够吸藏和释放锂离子的负极活性物质的负极;

配置在所述正极和所述负极之间的隔板;和

具有锂离子传导性的电解质,

所述正极活性物质包含实质地具有不可逆容量的锂镍复合氧化物,

在所述负极活性物质中预先吸藏有锂,

在环境温度为25℃时的所述锂二次电池的完全放电状态下,所述负极中的能够释放的锂量大于所述锂二次电池的不可逆容量。

2.根据权利要求1所述的锂二次电池,在所述负极活性物质中,通过真空蒸镀法或电化学方法预先吸藏有锂。

3.根据权利要求1或2所述的锂二次电池,所述正极的所述正极活性物质的填充密度大于3.0g/cm3且低于4.0g/cm3

4.根据权利要求1~3的任一项所述的锂二次电池,所述正极活性物质形成作为一次粒子的集合体的二次粒子,所述一次粒子的平均粒径为0.5μm以上。

5.根据权利要求1~4的任一项所述的锂二次电池,所述镍系含锂复合氧化物具有由LiaNi1-(b+c)CobMcO2表示的组成,其中,1.0≤a≤1.05、0.1≤b≤0.35、0.005≤c≤0.30,M是选自Al、Sr和Ca中的至少一种。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的锂二次电池,所述负极具有包含所述负极活性物质的负极活性物质层,所述正极具有包含所述正极活性物质的正极活性物质层,

所述负极活性物质层的一部分隔着所述隔板与所述正极活性物质层相对,

在所述负极活性物质层之中与所述正极活性物质层相对的部分和没有与所述正极活性物质层相对的部分中,预先吸藏有锂。

7.根据权利要求1~6的任一项所述的锂二次电池,所述负极活性物质包含硅。

8.根据权利要求7所述的锂二次电池,在所述负极活性物质中,通过真空蒸镀法预先吸藏有锂。

9.根据权利要求1~6的任一项所述的锂二次电池,所述负极活性物质包含石墨。

10.根据权利要求1~9的任一项所述的锂二次电池,所述完全放电状态是在0.2C的电流下将所述锂二次电池放电到电池电压变为2.5V的状态。

11.一种锂二次电池的制造方法,包括:

(A)准备正极和负极的工序,所述正极包含作为能够吸藏和释放锂离子的正极活性物质的、实质地具有不可逆容量的锂镍复合氧化物,所述负极具有能够吸藏和释放锂离子的负极活性物质;

(B)采用真空蒸镀法或电化学方法使所述负极活性物质预先吸藏锂的工序;和

(C)将使所述负极活性物质预先吸藏锂后的所述负极、和所述正极隔着隔板而配置,从而形成电极群的工序,

在所述工序(B)中预先吸藏的锂量被设定,使得在环境温度为25℃时的所述锂二次电池的完全放电状态下,所述负极中的能够释放的锂量大于所述锂二次电池的不可逆容量。

12.根据权利要求11所述的锂二次电池的制造方法,所述负极活性物质包含硅,在所述工序(B)中,采用真空蒸镀法使所述负极活性物质预先吸藏锂。

13.一种锂二次电池,包含:

具有能够吸藏和释放锂离子的正极活性物质的正极;

具有能够吸藏和释放锂离子的负极活性物质的负极;

配置在所述正极和所述负极之间的隔板;和

具有锂离子传导性的电解质,

所述正极活性物质包含具有不可逆容量的锂过渡金属复合氧化物,

在所述负极活性物质中吸藏有锂,

在环境温度为25℃时的所述锂二次电池的完全放电状态下,所述负极中的能够释放的锂量大于在比所述环境温度高的温度下的所述正极的容量增加量,并且大于在所述环境温度下的所述正极的不可逆容量,

所述负极活性物质的锂的预吸藏量大于所述负极的不可逆容量,

所述负极活性物质的锂的预吸藏量和所述负极的不可逆容量之差,与所述负极中的能够释放的锂量和所述正极的不可逆容量之差相等。

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