[发明专利]单晶硅晶片的制造方法及退火晶片

权利要求书

1.一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，其是在非氮化性环境下，以1150～1300℃，对单晶硅晶片进行1～120分钟的热处理，并且，所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而获得，并且氧浓度不足7ppma，氮浓度为1×10¹³～1×10¹⁴原子/cm³。

2.如权利要求1所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，通过进行前述热处理，使前述单晶硅晶片的主体中的缺陷尺寸为15nm以上的结晶缺陷的密度为2×10⁶/cm³以下。

3.如权利要求1或2所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，通过进行前述热处理，使前述单晶硅晶片的电阻率的面内偏差为5%以下。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的单晶硅晶片的制造方法，其中，使前述单晶硅晶片以导电型为N型的方式用于绝缘栅双极型晶体管用途的器件。

5.一种退火晶片，其特征在于，其是将单晶硅晶片热处理制造而成，所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而获得，并且氧浓度不足7ppma，氮浓度为1×10¹³～1×10¹⁴原子/cm³，并且，该退火晶片的主体中的缺陷尺寸为15nm以上的结晶缺陷的密度为2×10⁶/cm³以下。

6.如权利要求5所述的退火晶片，其中，前述退火晶片的电阻率的面内偏差为5%以下。

7.如权利要求5或6所述的退火晶片，其中，前述退火晶片是以导电型为N型的方式用于绝缘栅双极型晶体管用途的器件。