[发明专利]等离子处理装置有效

专利信息
申请号: 201280006986.2 申请日: 2012-02-02
公开(公告)号: CN103459651A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 胜俣和彦 申请(专利权)人: 株式会社IHI;IHI机械系统股份有限公司
主分类号: C23C8/36 分类号: C23C8/36;C21D1/09;C21D1/773;F27D11/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱美红;杨楷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子 处理 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及等离子处理装置。本申请基于2011年2月2日在日本提出申请的特愿2011-20665号主张优先权,这里援用其内容。

背景技术

以往,使用将由金属材料构成的被处理物的表面用等离子改性的等离子处理装置。该等离子处理装置例如如专利文献1所示那样具备真空炉,在上述真空炉的内部的低压环境中产生等离子,使用上述等离子进行渗碳处理等被处理物的表面改性。

专利文献1:日本特开2009-149961号公报。

发明内容

在上述那样的等离子处理装置中,通常将被处理物载置在导电性的托盘上而载置到真空炉的内部。并且,将真空炉的内壁接地,对上述托盘外加负电压。结果,在内壁与被处理物之间形成电场,处理气体等离子化,将被处理物的表面改性。

但是,由等离子处理装置进行等离子处理的被处理物是多种多样的。因此,根据被处理物,到真空炉的内壁的距离变化。从被处理物到真空炉的内壁的距离变化意味着形成在被处理物与真空炉的内壁之间的电场变化。因此,等离子处理的环境变化,处理后的被处理物的表面特性不均匀。

此外,在处理相同形状的被处理物的情况下,也有为了使表面特性变化或使处理时间变化而有意想要使形成的电场变化的情况。

但是,在以往的等离子处理装置中,不能变更向托盘及真空炉的内壁的供电点。因此,结果不能任意地变更上述电场的变化,难以抑制被处理物的表面特性的不均匀、或有意使被处理物的表面特性变化。

本发明是鉴于上述问题而做出的,目的是在真空炉的内部使用等离子进行被处理物的表面改性的等离子处理装置中、使得能够任意地变更用于等离子生成的电场强度、由此使被处理物的表面改性的自由度提高。

本发明作为用来解决上述课题的手段,采用以下的结构。

第1发明是一种在真空炉内部对由金属材料构成的被处理物进行通过等离子的表面改性的等离子处理装置,采用以下的结构,具备:第1供电装置,对上述被处理物外加第1电压;和第2供电装置,对相对于上述被处理物对置配置的金属体外加与上述第1电压不同的第2电压;上述第1供电装置及上述第2供电装置的至少任一方由可动式供电装置构成,所述可动式供电装置能够在上述真空炉内部移动。

第2发明在上述第1发明中,采用以下的结构,上述可动式供电装置具备导电性的棒部件和导电性的绳部件,所述棒部件从真空炉外部插通在真空炉内部,所述绳部件连结在棒部件上。

第3发明在上述第2发明中,采用以下的结构,上述绳部件设置有多根。

第4发明在上述第1~3中任一项发明中,采用以下的结构,上述可动式供电装置配置在比上述真空炉的中央靠开闭门附近。

第5发明在上述第1~4中任一项发明中,采用以下的结构,被上述第2供电装置外加第2电压的金属体是能够拆装的电极,所述电极能够向上述真空炉的内部取放。

第6发明在上述第1~5中任一项发明中,采用以下的结构,在上述真空炉内部载置上述被处理物的载置部被绝缘。

第7发明在上述第1~6中任一项发明中,采用以下的结构,具备:设置在上述真空炉内部的加热器、对上述真空炉内部供给渗碳气体的渗碳气体供给装置、和将上述真空炉内部冷却的冷却装置。

在本发明中,对被处理物外加第1电压的第1供电装置、和对相对于被处理物对置配置的金属体外加与第1电压不同的第2电压的第2供电装置的至少任一个由能够在真空炉内部移动的可动式供电装置构成。

根据本发明,通过使用可动式供电装置,能够变更向托盘及真空炉的内壁的供电点。此外,还能够将任意的形状的金属体对置于被处理物配置而向上述金属体供电。

因此,根据本发明,能够任意地变更用于等离子生成的电场强度,由此能够使被处理物的表面改性的自由度提高。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的等离子处理装置的概略结构图。

图2是本发明的一实施方式的等离子处理装置具备的真空炉的侧剖视图。

图3A是本发明的一实施方式的等离子处理装置具备的真空炉的正剖视图。

图3B是本发明的一实施方式的等离子处理装置具备的真空炉的正剖视图。

图4是本发明的一实施方式的等离子处理装置具备的真空炉的包括第1供电部的主要部放大图。

图5A是本发明的一实施方式的等离子处理装置具备的真空炉的包括第2供电部的主要部放大图。

图5B是本发明的一实施方式的等离子处理装置具备的真空炉的包括第2供电部的主要部放大图。

具体实施方式

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