[发明专利]具有加热器与快速温度变化的基板支撑件有效
申请号: | 201280007812.8 | 申请日: | 2012-01-26 |
公开(公告)号: | CN103370778A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 利昂·沃尔福夫斯基;马尤尔·G·库尔卡尼;亚历克斯·明科维奇 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/68;H05B3/20;G02F1/13 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 加热器 快速 温度 变化 支撑 | ||
领域
本发明的实施例大致涉及基板处理装置,更明确地,本发明的实施例涉及基板支撑件。
背景
随着器件的关键尺寸持续缩小,可能需要对工艺(诸如,加热、冷却或类似工艺)整体控制的改善。举例而言,基板支撑件可包括加热器及/或冷却器,以在处理期间提供设置于基板支撑件上的基板所需的温度。
因此,本发明人已经提供改善的基板支撑件。
发明内容
本发明提供具有加热器与集成冷却器的基板支撑件的实施例。在某些实施例中,基板支撑件可包括:第一构件,当基板位于第一构件的第一表面上方时,第一构件用以散布热至基板;加热器,加热器设置于第一构件下,且加热器具有一或多个加热区域以提供热至第一构件;多个冷却通道,多个冷却通道设置于第一构件下,以移除加热器提供的热;多个基板支撑销,多个基板支撑销设置在高于第一构件的第一表面上第一距离处,当基板位于基板支撑件上时,多个基板支撑销用以支撑基板的背侧表面;及对准引导件,对准引导件自第一构件的第一表面延伸并围绕多个基板支撑销。
在某些实施例中,基板支撑件可包括:第一构件,当基板位于第一构件的第一表面上方时,第一构件用以散布热至基板;多个基板支撑销,多个基板支撑销自第一构件的第一表面延伸,当基板位于基板支撑件上时,多个基板支撑销用以支撑基板的背侧表面;对准引导件,对准引导件自第一构件的第一表面延伸并围绕多个基板支撑销,其中第一构件、多个基板支撑销的各个基板支撑销与对准引导件是由相同材料所形成;及第二构件,第二构件具有设置于第二构件中的一或多个加热区域以提供热至第一构件,且第二构件具有设置于第二构件中的多个冷却通道。
在某些实施例中,基板支撑件包括:第一构件,当基板位于第一构件的上表面上方时,第一构件用以散布热至基板;支撑层,支撑层设置在第一构件的上表面上,其中当基板位在基板支撑件上时,多个基板支撑销的各个基板支撑销自支撑层的表面延伸以支撑基板的背侧表面;对准引导件,对准引导件自第一构件的上表面延伸并围绕多个基板支撑销;第一层,第一层设置于第一构件下方,且第一层具有一或多个加热区域的各个加热区域,一或多个加热区域的各个加热区域设置邻近第一层的第一表面处;及第二层,第二层设置于第一构件下方,且第二层具有多个冷却通道的各个冷却通道,多个冷却通道的各个冷却通道形成于第二层中。
于下文描述本发明的其它与进一步实施例。
附图简单说明
可参照描绘于附图中的本发明说明性实施例来理解如上简短概述与如下详细描述的本发明实施例。然而,需注意附图仅描绘本发明的典型实施例而因此不被视为本发明的范围的限制因素,因为本发明可允许其它等效实施例。
图1描绘根据本发明的某些实施例的基板支撑件的示意图。
图2A-C描绘根据本发明的某些实施例的基板支撑件的部分的横剖面图。
图3A-C描绘根据本发明的某些实施例的基板支撑件的部分的横剖面图。
图4描绘根据本发明的某些实施例的多区域加热器的俯视图。
为了促进理解,可尽可能应用相同的元件符号来标示图中相同的元件。图并非按比例绘制且可能为了清晰起见而有所简化。预期一个实施例中的元件与特征结构可有利地并入其它实施例而不需特别详述。
具体描述
本文公开具有加热器与集成冷却器的基板支撑件的实施例。本发明的基板支撑件可有利地促进下列一或多种:加热基板、维持基板的温度、快速改变基板的温度或者均匀地散布热至基板或均匀地自基板移除热。
图1描绘根据本发明的某些实施例的基板支撑件100。基板支撑件100可包括第一构件102与第二构件106,当基板103位于第一构件102的第一表面104(例如,上表面)上方时,第一构件102用以散布热至基板103,第二构件106具有一或多个加热区域108与多个冷却通道110,一或多个加热区域108用以提供热至即将将热散布的第一构件102。如图1中所示,可将第二构件106设置于第一构件102下方。
在某些实施例中,基板支撑件可提供约450℃至约600℃的温度范围。然而,本文公开的基板支撑件的实施例并不限于上文提及的温度范围。举例而言,温度可为较低点(例如,自约150℃至约450℃)或较高点,例如,高于约600℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280007812.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造