[发明专利]异物检测装置和异物检测方法有效

专利信息
申请号: 201280007953.X 申请日: 2012-02-01
公开(公告)号: CN103348235A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 爱甲健二;田中成弥;青木康子;川口浩;志村启 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: G01N21/94 分类号: G01N21/94;G01B11/30;G01N21/27;G01N21/35;H01M4/139
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 异物 检测 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种异物检测装置,其检测对象物的表面或该对象物之中的异物,其特征在于,含有:

照明光发生部,其发生照射到所述对象物上的照明光;

散射光检测部,其使用光接收元件将来自所述对象物的散射光作为信号加以检测,

并且,所述照明光的波长为4μm~10mm。

2.根据权利要求1所述的异物检测装置,其特征在于,

还含有:使用光接收元件检测来自所述对象物的正反射光的正反射光检测部。

3.根据权利要求1或2所述的异物检测装置,其特征在于,

还含有:使所述散射光检测部所得到的所述信号得以平滑化的平滑化处理部;和对于由该平滑化处理部所平滑化的平滑化信号进行滤波的滤波处理部。

4.根据权利要求3所述的异物检测装置,其特征在于,

还含有:对于由所述滤波处理部得到的噪音消除信号进行微分处理的明显化处理部。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的异物检测装置,其特征在于,

还含有:对于由所述散射光检测部和所述正反射光检测部之中至少任意一个所得到的信号进行处理的外差振荡器、和锁相放大器。

6.根据权利要求2~4中任一项所述的异物检测装置,其特征在于,

还含有:对于由所述散射光检测部和所述正反射光检测部之中至少任意一个得到的信号进行处理的同步检波部、和锁相放大器。

7.根据权利要求2~6中任一项所述的异物检测装置,其特征在于,

还含有:将所述散射光和所述正反射光之中至少任意一个的波长进行转换的非线形晶体元件,

所述散射光检测部和所述正反射光检测部之中至少任意一个含有红外/可视光检测器。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的异物检测装置,其特征在于,

所述照明光发生部含有:飞秒脉冲激光和光电导天线InGa电致伸缩元件的组合,毫微秒脉冲激光和非线形晶体元件的组合,发生太赫兹波的量子级联激光器,发生太赫兹波的肖特基势垒二极管、耿氏二极管或隧穿渡越时间二极管。

9.根据权利要求2~8中任一项所述的异物检测装置,其特征在于,

还含有:调节所述散射光和所述正反射光的焦距之焦距调节部。

10.根据权利要求2~9中任一项所述的异物检测装置,其特征在于,

所述散射光检测部和所述正反射光检测部之中至少任意一个含有:排列有多个传感器的一维传感器或二维传感器。

11.根据权利要求2~10中任一项所述的异物检测装置,其特征在于,

还含有:根据由所述正反射光检测部得到的信号,进行所述对象物的厚度或所述对象物所含的异物的深度的计算,或进行所述异物的成分的分析或所述对象物所含的水分的检测的分析部。

12.一种异物检测方法,其检测对象物的表面或该对象物之中的异物,其特征在于,包括:

对所述对象物照射照明光的工序;

将来自所述对象物的散射光作为信号进行检测的工序,

并且,所述照明光的波长为4μm~10mm。

13.根据权利要求12所述的异物检测方法,其特征在于,

还包括:使所述散射光的信号平滑化、且进行滤波的工序。

14.根据权利要求13所述的异物检测方法,其特征在于,

还包括:对于所滤波的所述信号进行微分处理的工序。

15.根据权利要求12~14中任一项所述的异物检测方法,其特征在于,

还包括:对来自所述对象物的正反射光进行检测的工序。

16.根据权利要求15所述的异物检测方法,其特征在于,

还包括:将所述散射光和所述正反射光之中至少一个的波长进行转换的工序。

17.根据权利要求15或16所述的异物检测方法,其特征在于,

还包括:对所述散射光和所述正反射光的焦距进行调节的工序。

18.根据权利要求15~17中任一项所述的异物检测方法,其特征在于,

还包括:根据所述正反射光的检测所得到的信号,进行所述对象物的厚度或所述对象物所含的异物的深度的计算,或进行所述异物的成分的分析或所述对象物所含的水分的检测的工序。

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