[发明专利]四氮杂芘化合物及其作为N-型半导体的用途

权利要求书

1.式（I）的四氮杂芘化合物：

其中

R¹、R²、R³、R⁴在每种情况下独立地选自H、C_1-30烷基、C_1-30烷氧基、C_1-30烷硫基、C_6-14芳基、C_6-14芳氧基、C_6-14芳硫基、C_7-20芳基烷基、Cl和Br，

R⁵、R⁶在每种情况下独立地选自H、C_1-30烷基、C_1-30卤代烷基、C_6-14芳基和C_7-20芳基烷基，其中芳基和芳基烷基可以任选地被一个或多个卤素、C_1-4卤代烷基、-CN、-NO₂、-CHO、-COOH、-CONH₂、-CO(C_1-14烷基)、-COO(C_1-14烷基)、-CONHC(C_1-14烷基)和-CON(C_1-14烷基)₂取代，前提是R¹、R²、R³和R⁴中的至少一个是C_6-14芳氧基、C_6-14芳硫基、Cl或Br。

2.权利要求1的化合物，其中R¹和R³是Cl或Br，R²和R⁴是H。

3.权利要求1的化合物，其中R¹、R²、R³和R⁴是Cl或Br。

4.权利要求1的化合物，其中R¹、R²、R³和R⁴是C_6-14芳氧基或C_6-14芳硫基。

5.权利要求1-4中任一项的化合物，其中R⁵和R⁶是C_1-10卤代烷基。

6.权利要求5的化合物，其中R⁵和R⁶是C_1-6全氟烷基。

7.权利要求1-4中任一项的化合物，其中R⁵和R⁶是C_6-14芳基或C_7-20芳基烷基，它们各自被一个或多个卤素原子取代。

8.权利要求7的化合物，其中R⁵和R⁶是被1-5个氟原子取代的苯基。

9.一种制备式（I）化合物的方法：

其中

R¹、R²、R³和R⁴是H、Cl或Br，前提是R¹、R²、R³和R⁴中的至少一个是Cl或Br，

此方法包括使用氯化剂或溴化剂对式（II）的四氮杂芘进行氯化或溴化的步骤，

其中R⁵如权利要求1中所定义。

10.权利要求9的方法，其中R¹和R³是Cl或Br，R²和R⁴是H，并且氯化剂是N,N’-二氯异氰脲酸，溴化剂是N,N’-二溴异氰脲酸。

11.权利要求9或10的方法，其中四氮杂芘通过四氨基萘六氯锡酸盐

与羧酸酐（III）反应获得：

其中R⁵如权利要求1中所定义。

12.一种薄膜半导体，其含有如权利要求1-8中任一项所述的一种或多种化合物。