[发明专利]冷却剂再生方法有效

专利信息
申请号: 201280008310.7 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN103347654A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 坊野茂树;西田高治;荻田大;延藤芳树;山田晃司 申请(专利权)人: 可乐丽股份有限公司
主分类号: B24B57/00 分类号: B24B57/00;B24B27/06;H01L21/304
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 肖日松;杨楷
地址: 日本冈山县*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 冷却剂 再生 方法
【权利要求书】:

1. 一种冷却剂再生方法,是从含有在用钢丝锯切断硅材料时产生的硅切削屑的使用过冷却剂除去所述硅切削屑且生成能够再次利用的冷却剂的冷却剂再生方法,具备:

离心分离循环工序,其具备将所述使用过冷却剂的一部分供给至具有纵型离心分离装置的离心分离单元并离心分离成含有所述硅切削屑的固体部分与离心分离液的离心分离工序、以及将被离心分离的所述离心分离液与所述使用过冷却剂混合的离心分离液混合工序,使所述离心分离液循环;

膜分离循环工序,其与所述离心分离循环工序并行地进行,具备将所述使用过冷却剂的剩余部分供给至具有过滤膜的膜分离单元并膜分离成含有所述硅切削屑的浓缩液与膜过滤液的膜分离工序、以及将通过所述膜分离工序而被膜分离的所述浓缩液与所述使用过冷却剂混合的浓缩液混合工序,使所述浓缩液循环;以及

冷却剂混合生成工序,其将通过所述离心分离循环工序循环的所述离心分离液和通过所述膜分离工序回收的所述膜过滤液混合,生成所述能够再次利用的冷却剂。

2. 一种冷却剂再生方法,是从含有在用钢丝锯切断硅材料时产生的硅切削屑的使用过冷却剂除去所述硅切削屑且生成能够再次利用的冷却剂的冷却剂再生方法,具备:

第一离心分离循环工序,其具备将所述使用过冷却剂供给至具有纵型离心分离装置的离心分离单元并离心分离成含有所述硅切削屑的固体部分与第一离心分离液的第一离心分离工序、以及将所述第一离心分离液与所述使用过冷却剂混合的第一离心分离液混合工序,使所述第一离心分离液循环;

膜分离循环工序,其具备将通过所述第一离心分离循环工序循环的所述第一离心分离液供给至具有过滤膜的膜分离单元并膜分离成含有所述硅切削屑的浓缩液与膜过滤液的膜分离工序、以及将所述浓缩液与所述第一离心分离液混合的浓缩液混合工序,使所述浓缩液循环;

第二离心分离循环工序,其具备将通过所述膜分离循环工序循环的所述浓缩液供给至具有纵型离心分离装置的第二离心分离单元并离心分离成含有所述硅切削屑的固体部分与第二离心分离液的第二离心分离工序、以及将所述第二离心分离液与所述浓缩液混合的第二离心分离液混合工序,使所述第二离心分离液循环;以及

冷却剂混合生成工序,其将通过所述离心分离循环工序循环的所述第二离心分离液和通过所述膜分离循环工序回收的所述膜过滤液混合,生成所述能够再次利用的冷却剂。

3. 一种冷却剂再生方法,是从含有在用钢丝锯切断硅材料时产生的硅切削屑的使用过冷却剂除去所述硅切削屑且生成能够再次利用的冷却剂的冷却剂再生方法,具备:

离心分离循环工序,其具备将所述使用过冷却剂供给至具有纵型离心分离装置的离心分离单元并离心分离成含有所述硅切削屑的固体部分与离心分离液的离心分离工序、以及将所述离心分离液与所述使用过冷却剂混合的离心分离液混合工序,使所述离心分离液循环;

膜分离循环工序,其具备将通过所述离心分离循环工序循环的所述离心分离液的一部分供给至具有过滤膜的膜分离单元并膜分离成含有所述硅切削屑的浓缩液与膜过滤液的膜分离工序、以及将通过所述膜分离工序而被膜分离的所述浓缩液与所述离心分离液混合的浓缩液混合工序,使所述浓缩液循环;

第二离心分离循环工序,其与所述膜分离循环工序并行地进行,具备将通过所述离心分离循环工序循环的所述离心分离液的剩余部分供给至具有纵型离心分离装置的第二离心分离单元并离心分离成含有所述硅切削屑的固体部分与第二离心分离液的第二离心分离工序、以及将被离心分离的所述第二离心分离液与所述离心分离液混合的第二离心分离液混合工序,使所述第二离心分离液循环;以及

冷却剂混合生成工序,将通过所述第二离心分离循环工序循环的所述第二离心分离液和通过所述膜分离循环工序回收的所述膜过滤液混合,生成所述能够再次利用的冷却剂。

4. 根据权利要求1至3中的任一项所述的冷却剂再生方法,其特征在于,相对于所述使用过冷却剂的投入量,所述能够再次利用的冷却剂的回收率为85%重量以上、98%重量以下。

5. 根据权利要求4所述的冷却剂再生方法,其特征在于,所生成的所述能够再次利用的冷却剂,残留硅成分的含有量为所述冷却剂整体的0.01%重量以上、3.0%重量以下,且所述残留硅成分所含有的0.1μm以下粒径的硅粒子的比例为所述残留硅成分整体的0.01%重量以上、30%重量以下。

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