[发明专利]电子器件封装体、电子器件、及电子器件封装体的制造方法

权利要求书

1.一种电子器件封装体，由一主面上能装载电子器件元件的第1密封部件、和第2密封部件对所述电子器件元件的电极进行气密密封，其特征在于：

所述第2密封部件的一主面通过接合材料而被接合在所述第1密封部件的所述一主面上，

所述第2密封部件的所述一主面的外周缘部被成形为向所述第2密封部件的另一主面侧倾斜的锥形，

在被成形为锥形的所述外周缘部的至少一部分设定有锥形区域，

所述第2密封部件的所述一主面的比所述外周缘部靠近内侧之处设有平坦部，

在所述平坦部的至少一部分设有与所述锥形区域邻接的平坦区域，

在所述第1密封部件的所述一主面上设定有与所述锥形区域相对应的第1区域和与所述平坦区域相对应的第2区域，且所述第1区域与所述第2区域相邻接，

所述第2区域的面平行于所述平坦区域的面，

所述第2区域的宽度为所述平坦区域的宽度的0.66～1.2倍，

所述接合材料是通过将第1接合层和含有钎料的第2接合层加热熔化而形成的，其中，所述第1接合层被形成在由所述第1区域和所述第2区域构成的第1接合层形成区域的整个区域；所述第2接合层被形成在由所述锥形区域和所述平坦区域构成的第2接合层形成区域的整个区域。

2.如权利要求1所述的电子器件封装体，其特征在于：

所述第1密封部件与所述第2密封部件之间通过接合材料而接合，以形成对所述电子器件进行气密密封的内部空间，

所述平坦区域和所述第2区域被设定得比所述内部空间靠近该电子器件封装体的外侧。

3.如权利要求1或2所述的电子器件封装体，其特征在于：

所述第1接合层的表面由Au镀层构成，

所述钎料由Au Sn合金构成。

4.一种电子器件，其特征在于：

电子器件元件的电极被权利要求1至3中任一项所述的电子器件封装体气密密封。

5.一种电子器件封装体的制造方法，是将电子器件元件的电极气密密封的电子器件封装体的制造方法，其特征在于：

包括，

第1成形工序，进行一主面上装载电子器件元件的第1密封部件的成形；

第2成形工序，进行第2密封部件的成形；

第1接合层形成工序，在所述第1密封部件的一主面上形成第1接合层；

第2接合层形成工序，在所述第2密封部件的一主面上形成含有钎料的第2接合层；以及

接合工序，在所述第1接合层上叠合了所述第2接合层的状态下，将所述第1接合层及所述第2接合层加热熔化，而形成接合材料，并将所述第2密封部件的所述一主面接合在所述第1密封部件的所述一主面上，

在所述第2成形工序中，将所述第2密封部件的所述一主面的外周缘部成形为向所述第2密封部件的另一主面侧倾斜的锥形，并在所述第2密封部件的所述一主面的比所述外周缘部靠近内侧之处设平坦部，

在所述第2接合层形成工序中，在所述第2密封部件的被成形为锥形的所述外周缘部的至少一部分设定锥形区域，在所述第2密封部件的所述一主面的比所述外周缘部靠近内侧之处所设的所述平坦部的至少一部分设定与所述锥形区域邻接的平坦区域，在所述锥形区域和所述平坦区域所构成的第2接合层形成区域的整个区域形成所述第2接合层，

在所述第1接合层形成工序中，在所述第1密封部件的所述一主面上设定与所述锥形区域相对应的第1区域和与所述平坦区域相对应的第2区域，并使所述第1区域与所述第2区域相邻接，将所述第2区域的宽度设定为所述平坦区域的宽度的0.66～1.2倍，在所述第1区域和所述第2区域所构成的第1接合层形成区域的整个区域形成所述第1接合层，

在所述接合工序中，将所述第2区域的面配置为平行于所述平坦区域的面，在所述第1接合层上叠合了所述第2接合层的状态下，将所述第1接合层和所述第2接合层加热熔化。