[发明专利]电子器件封装体、电子器件、及电子器件封装体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对电子器件元件的电极进行气密密封的电子器件封装体、电子器件元件的电极被该电子器件封装体气密密封的电子器件、及该电子器件封装体的制造方法。

背景技术

为了防止压电振动装置等电子器件的封装体(以下，称为电子器件封装体)的内部空间中装载的电子器件元件的电极特性劣化，其内部空间被气密密封。

作为这种电子器件封装体，已存在由底座和盖这两个密封部件组成，且壳体被构成为长方体的封装体。在这样的封装体的内部空间中，压电振动片等电子器件元件被接合保持在底座上。并且，通过底座与盖之间的接合，封装体的内部空间的电子器件元件的电极被气密密封。

例如，在专利文献1所公开的压电振动装置(本发明所说的电子器件)中，由用钎料接合的底座和盖构成的封装体的内部空间中气密密封有压电振动片。这样的压电振动装置中，与盖相接合之前，底座的一主面的外周缘部上配置有例如按Mo层、Ni层及Au层的顺序层叠而成的层叠体。另一方面，与底座相接合之前，盖的一主面的外周缘部上配置有含有Au Sn合金的钎料。然后，通过将底座上配置的层叠体与盖上配置的钎料在相叠合的状态下进行加热处理，层叠体和钎料熔化而形成接合材料，将底座与盖接合在一起。

然而，钎料被加热熔化会产生气体。在此产生的气体若进入压电振动装置的封装体的内部空间，则所进入的气体会影响压电振动片的振动特性。具体而言，会使CI值(串联等效电阻)变差、或使老化特性(aging characteristics)中产生频率变动。

上述专利文献1所公开的压电振动装置中，配置有钎料的盖的外周缘部被形成为与配置有层叠体的底座的外周缘部相平行，从而成为使钎料的加热熔化物易于沿盖的一主面的面方向往封装体的内侧方向流动的结构。因此，存在因钎料的加热熔化而产生的气体大量进入压电振动装置的封装体的内部空间，使压电振动片的振动特性劣化这样的问题。

于是，为了让用含有钎料的接合材料将底座与盖接合在一起时进入封装体内部空间的气体的量减少，本申请人发明了一种将底座和盖中至少一方的外周缘部成形为锥形的技术。基于本申请人所发明的该技术，由于底座和盖中至少一方被成形为锥形，所以底座和盖的外周缘部之间的间隙朝外侧方向扩大。因此，含有钎料的接合材料形成弯月面，因钎料的加热熔化而产生的气体易于向封装体的外侧方向散发。即，能使钎料被加热熔化时产生的气体逃出封装体之外，难以进入封装体的内部空间。

然而，即便是将底座和盖中至少一方的外周缘部成形为锥形，底座和盖的外周缘部间的接合材料的弯月面的形成还是不充分，仍有封装体的内部空间未充分得到气密密封的情况。

【专利文献1】：日本特开2009-55283号公报

发明内容

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供一种既能抑制内部空间的气体量，又能确保封装体的内部被气密密封的电子器件封装体、电子器件元件的电极被该电子器件封装体气密密封的电子器件、及该电子器件封装体的制造方法。

作为解决上述技术问题的技术方案，本发明所涉及的电子器件封装体为，由一主面上能装载电子器件元件的第1密封部件、和第2密封部件对所述电子器件元件的电极进行气密密封，其特征在于：所述第2密封部件的一主面通过接合材料而被接合在所述第1密封部件的所述一主面上，所述第2密封部件的所述一主面的外周缘部被成形为向所述第2密封部件的另一主面侧倾斜的锥形，在被成形为锥形的所述外周缘部的至少一部分设定有锥形区域，所述第2密封部件的所述一主面的比所述外周缘部靠近内侧之处设有平坦部，在所述平坦部的至少一部分设有与所述锥形区域邻接的平坦区域，在所述第1密封部件的所述一主面上设定有与所述锥形区域相对应的第1区域和与所述平坦区域相对应的第2区域，且所述第1区域与所述第2区域相邻接，所述第2区域的面平行于所述平坦区域的面，所述第2区域的宽度为所述平坦区域的宽度的0.66～1.2倍，所述接合材料是通过将第1接合层和含有钎料的第2接合层加热熔化而形成的，其中，所述第1接合层被形成在由所述第1区域和所述第2区域构成的第1接合层形成区域的整个区域；所述第2接合层被形成在由所述锥形区域和所述平坦区域构成的第2接合层形成区域的整个区域。