[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管器件，具备在相互隔开间隔的状态下相邻配置的第1薄膜晶体管元件和第2薄膜晶体管元件，

各薄膜晶体管元件具备：

栅电极；

源电极和漏电极，其层叠形成在所述栅电极的上方，在与叠层方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置；

绝缘层，其插置在所述栅电极与所述源电极及所述漏电极之间；以及

半导体层，其形成在所述源电极与所述漏电极之间的间隙以及所述源电极和所述漏电极上，与所述源电极和所述漏电极紧密接触，

在所述第1薄膜晶体管元件中的所述半导体层与所述第2薄膜晶体管元件中的所述半导体层之间形成有对彼此之间进行区划的隔壁，

所述隔壁分别围绕所述第1薄膜晶体管元件中的所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分、和第2薄膜晶体管元件中的所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分，且表面具有拨液性，

将通过围绕所述第1薄膜晶体管元件中的所述源电极和所述漏电极各自的至少一部分而构成的开口部作为第1开口部，将通过围绕所述第2薄膜晶体管元件中的所述源电极和所述漏电极各自的至少一部分而构成的开口部作为第2开口部时，

在俯视所述第1开口部的底部的情况下，在所述第1开口部的底部露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置与所述第1开口部底部的面积的中心位置相比向与所述第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，

在俯视所述第2开口部的底部的情况下，在所述第2开口部的底部露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置与所述第2开口部底部的面积的中心位置相比向与所述第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，

在所述第1开口部的底部，在与所述第2开口部相邻的一侧，存在所述绝缘层和所述半导体层直接接触而所述源电极和所述漏电极都不介于其间的部位，

在所述第2开口部的底部，在与所述第1开口部相邻的一侧，存在所述绝缘层和所述半导体层直接接触而所述源电极和所述漏电极都不介于其间的部位。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管器件，

在所述第1开口部的底部，所述绝缘层和所述半导体层直接接触而所述源电极和所述漏电极都不介于其间的部位也存在于与所述第2开口部相邻的一侧的相反侧，

在俯视所述第1开口部的底部的情况下，以所述第1开口部底部的中心位置为基准，所述第2开口部一侧的所述绝缘层和所述半导体层直接接触的部位的面积大于与所述第2开口部相邻的一侧的相反侧的所述绝缘层和所述半导体层直接接触的部位的面积，

在所述第2开口部的底部，所述绝缘层和所述半导体层直接接触而所述源电极和所述漏电极都不介于其间的部位也存在于与所述第1开口部相邻的一侧的相反侧，

在俯视所述第2开口部的底部的情况下，以所述第2开口部底部的中心位置为基准，与所述第1开口部相邻的一侧的所述绝缘层和所述半导体层直接接触的部位的面积大于与所述第1开口部相邻的一侧的相反侧的所述绝缘层和所述半导体层直接接触的部位的面积。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，

在俯视所述第1开口部的底部的情况下，所述源电极和所述漏电极的一方的表面积的中心位置与所述第1开口部底部的中心位置相比向与所述第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另一方的表面积的中心位置位于所述第1开口部底部的中心位置，

在俯视所述第2开口部的底部的情况下，所述源电极和所述漏电极的一方的表面积的中心位置与所述第2开口部底部的中心位置相比向与所述第1开口部相邻的一侧的相反侧远离，另一方的表面积的中心位置位于所述第2开口部底部的中心位置。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，

在俯视所述第1开口部的底部的情况下，所述源电极和所述漏电极各自的表面积的中心位置与所述第1开口部底部的中心位置相比向与所述第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，

在俯视所述第2开口部的底部的情况下，所述源电极和所述漏电极各自的表面积的中心位置与所述第2开口部底部的中心位置相比向与所述第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。