[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。 

背景技术

在液晶显示面板、有机EL显示面板中，为了以子像素为单位控制发光，采用了在每个子像素中形成有薄膜晶体管（TFT（Thin Film Transistor））元件的薄膜晶体管器件（装置）。并且，特别是使用了有机半导体材料来作为半导体层的薄膜晶体管器件的开发得到不断进展。 

如图12的（a）所示，现有技术涉及的有机TFT器件例如在基板9011上依次层叠形成有栅电极9012a、9012b、绝缘层9013、源电极9014a、9014b、漏电极（省略图示）以及有机半导体层9017a、9017b。有机半导体层9017a、9017b通过在绝缘层9013上涂敷有机半导体墨并使之干燥而形成，形成为将源电极9014a、9014b与漏电极之间填埋并且将它们之上覆盖。 

另外，如图12的（a）所示，在绝缘层9013上设有用于对相邻的元件之间进行区划的隔壁9016。在隔壁9016开设有多个开口部9016a～9016c，在开口部9016a的底部，与漏电极连接的连接布线9015露出，不形成有机半导体层。连接布线9015是用于对形成于该TFT元件上方的发光元件的电极进行连接的电极。而且，在隔壁9016的开口部9016b、9016c形成有被相互区划的有机半导体层9017a、9017b。 

液晶显示面板、有机EL显示面板中使用的有机TFT器件的各薄膜晶体管元件通过向栅电极9012a、9012b输入信号进行发光元件的发光控制。 

在先技术文献 

专利文献1：日本特开2009-76791号公报 

发明内容

发明要解决的问题 

然而，在现有技术涉及的有机TFT器件中，在有机半导体层9017a、9017b的形成涉及的墨涂敷时，会产生如下情况：对开口部9016b滴下的墨和对相邻的开口部9016c滴下的墨会混合。具体而言，如图12的（b）所示，向开设于隔壁9016的开口部9016b、9016c滴下有机半导体墨90170、90171时，如箭头所示，有机半导体墨90170、90171有时会相互混合。在该情况下，有机半导体层9017a、9017b的层厚会成为不希望的厚度，另外，在要形成成分相互不同的半导体层的情况下，由于墨的混合，会造成晶体管性能的降低。 

尤其在液晶显示面板、有机EL显示面板中，从精细化的希望，到还有将各子像素小型化的希望，伴随着各子像素小型化，开口部9016b与开口部9016c之间的距离变短，墨90170与墨90171变得容易混合，可认为容易产生如上所述的问题。 

此外，如上所述的问题在使用涂敷法形成无机半导体层的情况下也同样存在。 

本发明是为了解决上述问题而完成的发明，目的在于提供一种在向相邻的开口部滴下半导体墨时抑制彼此的墨的混合、并且质量（品质）高的薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件以及有机EL显示装置。 

用于解决问题的手段 

于是，本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管器件具有如下特征。 

本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管器件具备在相互隔开间隔的状态下相邻配置的第1薄膜晶体管元件和第2薄膜晶体管元件，各薄膜晶体管元件具备栅电极、源电极及漏电极、绝缘层以及半导体层。 

源电极和漏电极层叠形成在栅电极的上方，在与叠层方向交叉的方向 上相互隔开间隔而排列设置。 

绝缘层插置于栅电极与源电极及漏电极之间。 

半导体层形成在源电极与漏电极之间的间隙以及源电极和漏电极上，与源电极和漏电极紧密接触。 

另外，在本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管器件中，在第1薄膜晶体管元件中的半导体层与第2薄膜晶体管元件中的半导体层之间形成有对彼此之间进行区划的隔壁，隔壁分别围绕第1薄膜晶体管元件中的源电极及漏电极各自的至少一部分、和第2薄膜晶体管元件中的源电极及漏电极各自的至少一部分，并且，表面具有拨液性。 

在上述结构中，在将通过围绕第1薄膜晶体管元件中的源电极和漏电极各自的至少一部分而构成的开口部作为第1开口部，将通过围绕第2薄膜晶体管元件中的源电极和漏电极各自的至少一部分而构成的开口部作为第2开口部时，具有如下特征。