[发明专利]外延碳化硅单晶基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201280008889.7 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103370454A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克;伊藤涉 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/42;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 碳化硅 单晶基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种外延碳化硅单晶基板，其特征在于：是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有碳化硅外延层的外延碳化硅单晶基板，该外延层中通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的数量合计低于10个/cm2。
2.根据权利要求1所述的外延碳化硅单晶基板，其特征在于：所述堆垛层错的发光波长为420nm，为肖克利型的堆垛层错或3C型的堆垛层错，堆垛层错的数量低于5个/cm2。
3.根据权利要求1所述的外延碳化硅单晶基板，其特征在于：所述堆垛层错的发光波长为460nm，为肖克利型的堆垛层错，堆垛层错的数量低于5个/cm2。
4.根据权利要求1所述的外延碳化硅单晶基板，其特征在于：所述堆垛层错的发光波长为480nm，为肖克利型的堆垛层错，堆垛层错的数量低于3个/cm2。
5.根据权利要求1所述的外延碳化硅单晶基板，其特征在于：所述堆垛层错的发光波长为500nm，为肖克利型的堆垛层错，堆垛层错的数量低于3个/cm2。
6.一种外延碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于：是通过在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上使碳化硅外延生长而制造权利要求1所述的外延碳化硅单晶基板的方法，在所述碳化硅单晶基板上使碳化硅外延生长时所用的硅系的材料气体为氯硅烷即SiHmCln，其中m+n=4，m为0～3的整数，n为1～4的整数，碳系的材料气体为烃气体，此外，外延生长时的烃气体中的碳原子数相对于氯硅烷中的硅原子数的比即C/Si比为0.5以上且1.0以下，进而，外延生长温度为1600℃以上且1700℃以下。
7.根据权利要求6所述的外延碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于：所述碳化硅单晶基板的口径为4英寸以上。
8.根据权利要求6或7所述的外延碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于：在所述外延生长中，外延生长速度为1μm/小时以上且3μm/小时以下。
9.根据权利要求6～8中的任一项所述的外延碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于：所述外延生长为热化学蒸镀法即CVD法。
10.根据权利要求6～9中的任一项所述的外延碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于：所述硅系的材料气体为三氯硅烷即SiHCl3。
11.根据权利要求6～9中的任一项所述的外延碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于：所述硅系的材料气体为四氯硅烷即SiCl4。
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