[发明专利]多层基板的制造方法、去胶渣处理方法

权利要求书

1.一种多层基板的制造方法，包括：

基材预处理步骤，其按不同顺序进行孔形成步骤及金属附着步骤的2个步骤，所述孔形成步骤是对至少具有配置于最表层的绝缘层与设置于所述绝缘层的一个面的第1金属层的核心基材实施开孔加工，以将自所述绝缘层的另一面到所述第1金属层的孔设置于所述绝缘层中，且所述金属附着步骤是在所述绝缘层的另一面附着选自由原子序13～14、21～33及39～50的元素所组成群组中的金属或其离子；

去胶渣步骤，其在所述基材预处理步骤后，通过等离子蚀刻进行去胶渣处理；

清洗步骤，其在所述去胶渣步骤后，使用酸性溶液清洗所述核心基材；

镀敷步骤，其对所述绝缘层供给镀敷触媒或镀敷触媒的前驱物，并进行镀敷处理，以在所述绝缘层上形成经由所述孔与所述第1金属层导通的第2金属层。

2.根据权利要求1所述的多层基板的制造方法，其中所述酸性溶液包括盐酸、硫酸或硝酸。

3.根据权利要求1或2所述的多层基板的制造方法，其中所述金属附着步骤中的所述金属或其离子的附着量为50～1000mg/m²。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的多层基板的制造方法，其中所述绝缘层于最表层至少具有：含有与镀敷触媒或其前驱物相互作用的官能基的密接绝缘层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的多层基板的制造方法，其中所述开孔加工为钻孔加工或激光加工。

6.一种基材的去胶渣处理方法，其中所述基材至少具有配置于最表层的绝缘层及设置于所述绝缘层的一个面的第1金属层，所述方法包括

按不同顺序进行：实施开孔加工而在所述绝缘层中设置从所述绝缘层的另一面到所述第1金属层的孔的孔形成步骤，及在所述绝缘层的另一面附着选自由原子序13～14、21～33、及39～50的元素所组成群组中的金属或其离子的金属附着步骤这2个步骤，然后进行等离子蚀刻。