[发明专利]多层基板的制造方法、去胶渣处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种多层基板的制造方法，以及去胶渣处理方法。

背景技术

在制造多层配线基板时，为了提高与配线的密接性，并且为了除去通孔底部的树脂残渣，通常使用过锰酸处理等粗化处理(例如去胶渣蚀刻)。

然而，在应用减成法或半加成法等金属蚀刻法以实现配线的微细化时，配线密接力降低、因难以除去陷入配线间的粗化面的金属残渣而使蚀刻时容易产生过蚀刻而难以形成微细的金属配线，之类的配线下粗化的缺点较大。

因此，其他的去胶渣处理提出的有，利用等离子蚀刻将通孔中残存的树脂残渣等除去的方法(专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2008-277717号公报

专利文献2：日本专利特开2002-50603号公报

发明内容

发明欲解决的问题

本发明人等人参照专利文献1，在导电物质吸附性树脂层上形成通孔，并进行等离子蚀刻作为去胶渣处理，结果发现发生树脂层膜厚减少的膜薄化等，导致树脂层受损。结果产生：形成在树脂层上的金属层的密接性降低、金属层的图案形成性降低、通孔的填充缺陷等问题。

本发明是鉴于上述实际情况而成，目的是提供一种所形成的金属层密接性及图案高精细性佳，且经由孔的金属层间的连接可靠性高、良率佳的多层基板的制造方法。本发明的目的亦在提供此制造方法所用的去胶渣处理方法。

解决问题采用的手段

本发明人等对现有技术的问题进行积极研究，结果发现，使金属成分附着于绝缘层表面后再进行等离子蚀刻，即可抑制绝缘层的膜薄化等。

本发明人发现，通过下述方法可达成上述目的。

(1)一种多层基板的制造方法，其包括：基材预处理步骤，其按不同顺序进行孔形成步骤及金属附着步骤这2个步骤，其中孔形成步骤是对至少具有配置于最表层的绝缘层与设置于此绝缘层的一个面的第1金属层的核心基材实施开孔加工，而将从绝缘层的另一面到第1金属层的孔设置于绝缘层中，金属附着步骤则是在绝缘层的另一面上附着选自由原子序13～14、21～33及39～50的元素所组成群组中的金属或其离子；

去胶渣步骤，其在基材预处理步骤之后，利用等离子蚀刻进行去胶渣处理；

清洗步骤，其在去胶渣步骤之后，使用酸性溶液清洗上述核心基材；

镀敷步骤，其对上述绝缘层供给镀敷触媒或镀敷触媒的前驱物，并进行镀敷处理，以在绝缘层上形成经由上述孔而与第1金属层导通的第2金属层。

(2)如(1)所述的多层基板的制造方法，其中上述酸性溶液包括盐酸、硫酸或硝酸。

(3)如(1)或(2)所述多层基板的制造方法，其中金属附着步骤中上述金属或其离子的附着量为50～1000mg/m²。

(4)如(1)～(3)中任一项所述的多层基板的制造方法，其中上述绝缘层在最表层至少具有：含有与镀敷触媒或其前驱物相互作用的官能基的密接绝缘层。

(5)如(1)～(4)中任一项所述的多层基板的制造方法，其中上述开孔加工为钻孔加工或激光加工。

(6)一种基材的去胶渣处理方法，其中基材至少具有配置于最表层的绝缘层及设置于此绝缘层的一个面的第1金属层，且该方法包括：

按不同顺序进行：实施开孔加工而在上述绝缘层中设置自绝缘层的另一面到达第1金属层的孔的孔形成步骤，及在绝缘层的另一面上附着选自由原子序13～14、21～33、及39～50的元素所组成群组中的金属或其离子的金属附着步骤这2个步骤，然后进行等离子蚀刻。

发明的效果

本发明可提供所形成的金属层的密接性及图案高精细性佳，且经由孔的金属层间的连接可靠性高、良率佳的多层基板的制造方法。另外，本发明亦可提供上述制造方法所使用的去胶渣处理方法。

附图说明

[图1](A)～(G)是分别依序表示本发明的多层基板的制造方法中的各制造步骤的剖面示意图。

[图2](A)～(F)是依序表示根据半加成法制造图案状金属层时的各制造步骤的剖面示意图。

[图3](A)～(D)是依序表示根据减成法制造图案状金属层时的各制造步骤的剖面示意图。

[图4](A)～(B)是表示本发明中所使用的核心基材的其他形态的剖面示意图。

[图5](A)～(G)是依序表示使用具密接绝缘层核心基材时本发明的多层基板制造方法中各制造步骤的剖面示意图。

[图6]是本发明所用核心基材的其他形态的剖面示意图。