[发明专利]晶片级分割的方法和系统

权利要求书

1.一种分割多个半导体小晶片的方法，所述方法包括以下步骤：

提供载体基板；

将半导体基板接合至所述载体基板，其中所述半导体基板包括多个器件；

在所述半导体基板上形成掩模层；

曝光所述掩模层的预定部分；

处理所述掩模层的所述预定部分，以在所述半导体基板上形成预定掩模图案；

形成所述多个半导体小晶片，所述多个半导体小晶片的每一个半导体小晶片与所述预定掩模图案相结合并包括所述多个器件的一个或多个器件；和

从所述载体基板分离所述多个半导体小晶片。

2.如权利要求1的方法，其中所述载体基板包括硅基板。

3.如权利要求1的方法，其中将所述半导体基板接合至所述载体基板的步骤包括以下步骤：

在所述半导体基板上形成薄膜；

去除所述薄膜的边缘部分；

形成耦合至所述半导体基板的粘合层；和

在所述载体基板、所述薄膜与所述粘合层之间制造接触。

4.如权利要求3的方法，其中所述粘合层包括围绕所述薄膜的环状层。

5.如权利要求3的方法，其中所述薄膜包含惰性材料。

6.如权利要求5的方法，其中所述惰性材料包含非晶碳材料。

7.如权利要求1的方法，其中将所述半导体基板接合至所述载体基板的步骤包括以下步骤：

在所述半导体基板上形成惰性薄膜；

去除所述惰性薄膜与预定图案相结合的部分，所述预定图案与所述多个器件的一个或多个器件相结合；

将粘合材料涂布至与所述预定图案相结合的所述半导体基板的部分上；和

在所述载体基板、所述惰性薄膜与所述粘合材料之间制造接触。

8.如权利要求1的方法，其中形成所述预定掩模图案的步骤包括以下步骤：

引导激光束照射所述掩模层的所述预定部分；和

蚀刻所述掩模层的所述预定部分，以暴露出所述半导体基板的表面。

9.如权利要求8的方法，其中形成所述多个半导体小晶片的步骤包括以下步骤：蚀刻所述半导体基板的至少一部分，以形成所述多个半导体小晶片。

10.如权利要求1的方法，所述方法进一步包括以下步骤：清洁所述多个半导体小晶片。

11.一种分割半导体小晶片的系统，所述系统包括：

涂布单元，所述涂布单元可用来在包括多个器件的半导体基板上形成掩模层；

接合单元，所述接合单元可用来将所述半导体基板接合至载体基板；

激光处理单元，所述激光处理单元可用来将所述掩模层的预定部分暴露给激光；

显影处理单元，所述显影处理单元可用来在所述半导体基板上形成预定掩模图案；

分割单元，所述分割单元可用来形成所述多个半导体小晶片，所述多个半导体小晶片的每一个半导体小晶片与所述预定掩模图案相结合，并包括所述多个器件的一个或多个器件；和

小晶片分离单元，所述小晶片分离单元可用来从所述载体基板分离所述多个半导体小晶片。

12.如权利要求11的系统，其中所述载体基板包括硅基板。

13.如权利要求11的系统，其中所述半导体基板包括：

连续薄膜，所述连续薄膜设置在所述半导体基板上；和

环状粘合层，所述环状粘合层耦合至所述半导体基板且围绕所述连续薄膜。

14.如权利要求13的系统，其中所述薄膜包含惰性材料。

15.如权利要求14的系统，其中所述惰性材料包含非晶碳材料。

16.如权利要求11的系统，其中所述半导体基板包括：

惰性薄膜，所述惰性薄膜设置在所述半导体基板的第一部分上，所述第一部分与所述多个器件的一个或多个器件相结合；和

粘合材料，所述粘合材料设置在所述半导体基板的第二部分上，所述第二部分与所述第一部分不同。

17.如权利要求11的系统，其中所述分割单元包括显影单元和蚀刻单元。

18.如权利要求11的系统，其中所述激光处理单元包括激光源。