[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

基板；

在所述基板上形成的多个光电转换部；

从所述基板的光入射侧在深度方向上设置的沟部；和

设置有具有固定电荷的绝缘膜的元件隔离部，所述绝缘膜形成为包覆所述沟部的内壁面。

2.如权利要求1所述的固态成像装置，其中所述元件隔离部形成为包围各光电转换部的格子形状。

3.如权利要求1或2所述的固态成像装置，其中在所述沟部内还形成有遮光层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的固态成像装置，其中所述元件隔离部的光入射侧的端部形成为接触其上形成有在所述基板的前面侧上的像素晶体管的阱层。

5.如权利要求1～4中任一项所述的固态成像装置，其中接触所述元件隔离部的侧面的区域具有与构成所述光电转换部的电荷累积单元的半导体区域相同的导电型。

6.如权利要求1～5中任一项所述的固态成像装置，其中所述元件隔离部的一部分形成为贯通所述基板。

7.如权利要求3～6中任一项所述的固态成像装置，其中所述元件隔离部的一部分形成为贯通所述基板，和其中所述遮光层贯通所述基板且与在所述基板的前面侧上形成的配线层连接。

8.如权利要求1～7中任一项所述的固态成像装置，其中所述遮光层形成在所述基板的背面侧上，并且与在相邻的光电转换部之间的界面区域中遮光的遮光膜电连接。

9.如权利要求1～8中任一项所述的固态成像装置，其中所述固定电荷膜形成在所述沟部的内部，同时形成为包覆所述基板的背面。

10.一种固态成像装置，包括：

基板；

在所述基板上形成的多个光电转换部；

从所述基板的光入射侧在深度方向上形成的沟部；和

具有膜且具有中空结构的元件隔离部，所述膜设置成包覆所述沟部的内壁面。

11.如权利要求10所述的固态成像装置，其中所述元件隔离部具有从所述沟部的内周面侧顺次形成的两层以上的膜。

12.如权利要求11所述的固态成像装置，其中，在所述元件隔离部中，由具有更大应力的材料形成的膜配置在更远离所述沟部的内壁面侧的位置。

13.如权利要求12所述的固态成像装置，其中，在所述元件隔离部中，由具有更小折射率的材料形成的膜配置在更远离所述沟部的内壁面侧的位置。

14.如权利要求13所述的固态成像装置，其中接触所述沟部的内壁面的膜是具有固定电荷的绝缘膜。

15.如权利要求14所述的固态成像装置，其中所述膜由绝缘材料或金属材料形成。

16.如权利要求14所述的固态成像装置，其中所述元件隔离部具有由绝缘材料制成的一层以上的膜和由金属材料制成的一层以上的膜的层叠膜。

17.如权利要求16所述的固态成像装置，其中所述绝缘材料是氧化硅、氮化硅或氧氮化硅。

18.如权利要求17所述的固态成像装置，其中所述金属材料是钨、铝、钛或它们的氧化物或氮化物。

19.一种固态成像装置的制造方法，包括：

在基板上形成具有光电转换部的多个像素的步骤；

从所述基板的背面侧在深度方向上形成所需深度的沟部的步骤；和

在所述沟部的内壁面上形成具有固定电荷的绝缘膜和形成元件隔离部的步骤。

20.如权利要求19所述的固态成像装置的制造方法，其中所述元件隔离部形成为包围各光电转换部的格子形状。

21.如权利要求20所述的固态成像装置的制造方法，其中在所述沟部内还形成有遮光层。

22.如权利要求21所述的固态成像装置的制造方法，其中所述元件隔离部的光入射侧的端部形成为接触其上形成有在所述基板的前面侧上的像素晶体管的阱层。

23.如权利要求22所述的固态成像装置的制造方法，其中接触所述元件隔离部的侧面的区域具有与构成所述光电转换部的电荷累积单元的半导体区域相同的导电型。