[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备有效
申请号: | 201280009331.0 | 申请日: | 2012-02-23 |
公开(公告)号: | CN103403869A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 柳田刚志;押山到;榎本贵幸;池田晴美;伊泽慎一郎;山本敦彦;太田和伸 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/359;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及一种背面照射型的固态成像装置、其制造方法和电子设备。
背景技术
近年来,已经提出了一种背面照射型的固态成像装置,它从在基板上形成配线层那侧的相对侧照射光(参照下面的专利文献1)。在背面照射型的固态成像装置中,配线层和电路元件等未形成在光照射侧上,所以在基板上形成的光接收部的开口率可以增加,同时入射光入射到光接收部,而不会被配线层等反射,因此改善了敏感度。
专利文献1的固态成像装置在像素边界设置有遮光膜,从而减少了光学混色。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本未经审查的专利申请公开No.2010-186818
发明内容
技术问题
在这种固态成像装置中,追求诸如光学混色减少等的进一步性能改善。
本发明提供了一种具有光学混色减少等的性能进一步改善的固态成像装置。此外,提供使用这种固态成像装置的电子设备。
技术方案
根据本发明第一方面的固态成像装置包括基板和在所述基板上形成的多个光电转换部。此外,元件隔离部由具有固定电荷的形成为包覆沟部的内壁面的绝缘膜构成,所述沟部从所述基板的光入射侧在深度方向上形成。
根据本发明第二方面的固态成像装置具有基板和在所述基板上形成的多个光电转换部。此外,设置有从所述基板的光入射侧在深度方向上形成的沟部,和具有膜且具有中空结构的元件隔离部,所述膜设置成包覆所述沟部的内壁面。
根据本发明第一方面的固态成像装置的制造方法包括在基板上形成具有光电转换部的多个像素的步骤和从所述基板的背面侧在深度方向上形成所需深度的沟部的步骤。还具有在所述沟部的内壁面上形成具有固定电荷的绝缘膜和形成元件隔离部的步骤。
根据本发明第二方面的固态成像装置的制造方法具有在基板上形成具有光电转换部的多个像素的步骤和从所述基板的背面侧在深度方向上形成所需深度的沟部的步骤。还具有通过在所述沟部的内壁面上形成作为所需膜的膜使得中空部形成在所述沟部的内部而形成元件隔离部的步骤。
本发明的电子设备具有光学透镜、由所述光学透镜收集的光入射到其中的固态成像装置和处理从所述固态成像装置输出的输出信号的信号处理电路。
有益效果
根据本发明,在固态成像装置中,可以进一步改善诸如减少混色等特性。此外,通过使用所述固态成像装置可以获得图像质量改善的电子设备。
附图说明
[图1]图1是示出涉及本发明第一实施方案的固态成像装置的整体构成图。
[图2]图2是示出涉及本发明第一实施方案的固态成像装置的要部的截面构成图。
[图3]图3是涉及本发明第一实施方案的固态成像装置的平面布局。
[图4]图4的A和图4的B是示出涉及本发明第一实施方案的固态成像装置的制造方法的图。
[图5]图4的C和图4的D是示出涉及本发明第一实施方案的固态成像装置的制造方法的图。
[图6]图6是涉及本发明第一实施方案的固态成像装置和常规固态成像装置的要部的电位分布图。
[图7]图7是涉及第一实施方案的第一变形例的固态成像装置的平面布局。
[图8]图8是涉及第一实施方案的第二变形例的固态成像装置的平面布局
[图9]图9是示出涉及本发明第二实施方案的固态成像装置的要部的截面构成图。
[图10]图10的A~图10的C是示出涉及本发明第二实施方案的固态成像装置的制造方法的图。
[图11]图11是示出涉及本发明第三实施方案的固态成像装置的要部的截面构成图。
[图12]图12是示出涉及本发明第四实施方案的固态成像装置的要部的截面构成图。
[图13]图13的A和图13的B是示出涉及本发明第四实施方案的固态成像装置的制造方法的图。
[图14]图14的C是示出涉及本发明第四实施方案的固态成像装置的制造方法的图。
[图15]图15是示出涉及本发明第五实施方案的固态成像装置的要部的截面构成图。
[图16]图16是示出涉及本发明第六实施方案的固态成像装置的要部的截面构成图。
[图17]图17是示出涉及本发明第七实施方案的固态成像装置的要部的截面构成图。
[图18]图18的A和图18的B是示出涉及本发明第七实施方案的固态成像装置的制造方法的图。
[图19]图19是示出涉及本发明的第八实施方案的固态成像装置的要部的截面构成图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的