[发明专利]用于软解码的可靠性度量管理

说明书

有关申请的交叉引用

本公开内容要求对2012年2月15日提交的第13/397,434号美国专利申请的优先权，该美国专利申请要求对2011年2月18日提交的第61/444,534号美国临时专利申请的优先权，通过完全引用该美国临时专利申请将它的全部公开内容结合于此，如果有与本公开内容不一致的那些章节则除外。本公开内容与以下美国专利中请有关：2009年9月02日提交的第12/552,925号美国专利申请；2010年12月3日提交的第12/959891号美国专利申请；2011年1月31日提交的第13/017430号美国专利申请；2011年4月08日提交的第13/089,135号美国专利申请；以及2011年6月24日提交的第13/167,896号美国专利申请，通过完全引用这些美国专利申请将它们的全部公开内容结合于此，如果有与本公开内容不一致的那些章节则除外。

技术领域

本公开内容的实施例涉及软解码领域，并且更具体地，涉及用于软解码的可靠性度量管理。

背景技术

本文提供的背景技术描述是出于总体呈现本公开内容的上下文的目的。当前署名的发明人的工作(到在本背景技术部分描述的工作的程度)以及在提交申请时可能无法以其他方式作为现有技术的衡量的说明书的多个方面，既没有明确地也没有暗示地被承认是本公开的现有技术。

存储器设备(例如闪存)一般包括多个存储器扇区，其中每个存储器扇区包括多个存储器单元。通过将存储器单元编程为不同电压电平来存储数据。每个单元k位的闪存设备(其中K是适当整数)在单个单元中存储K位并且具有2^k个电压区域，其中每个区域对应于可能的2^k个k位模式中的一个模式。在对应电压区域中通过将存储器单元预先确定为标称电压值来存储k位模式。在特定存储器单元内实际存储的电压受到噪声并且因此可不同于标称值。存储的电压的确切值不能直接读取而仅能与读取参考电压比较。而且，在读取操作期间，主要目标是发现与存储的电压的对应的k位模式而不是电压本身。因此，通过比较存储器单元中存储的电压值与一个或者多个读取参考电压来读取存储器单元。

闪存设备中的存储器单元的浮动栅极晶体管能够在它的浮动栅极上存储电压持续一段时间、通常为许多年。与浮动栅极晶体管的浮动栅极上的存储的电荷对应的阈值电压可能由于例如设备的物理改变而随时间改变。这样的物理改变可以归因于设备老化、重复的擦除和编程周期等。闪存存储器单元组因此可以表现它们的总阈值电压分布随时间改变。这样的改变可以造成更大的错误率，该错误率可以随着设备的老化而恶化。

发明内容

在各种实施例中，提供一种用于读取存储器的目标存储器扇区的方法。该方法包括：基于与存储器的多个存储器扇区对应的读取数据，估计第一一个或者多个参考电压；以及使用第一一个或者多个参考电压，对目标存储器扇区执行第一读取操作。该方法还包括：确定第一读取操作的纠错码(ECC)解码失败；以及响应于确定第一读取操作的ECC解码失败并且基于与目标存储器扇区对应的读取数据，更新第一一个或者多个参考电压的估计以生成第二一个或者多个参考电压。该方法也包括：使用第二一个或者多个参考电压，对目标存储器扇区执行第二读取操作。

根据一个实施例，该方法还包括：基于与多个存储器扇区对应的读取数据，估计与第一一个或者多个参考电压对应的第一对数似然比(LLR)集，其中LLR是针对给定的参考电压范围的针对从存储器单元读取的每个数据位的置信度的指示。根据该实施例，确定第一读取操作的ECC解码失败还包括在使用第一LLR集对第一读取操作的结果进行ECC解码时确定第一读取操作的ECC解码失败，并且该方法还包括：响应于确定第一读取操作的ECC解码失败并且基于与目标存储器扇区对应的读取数据，更新第一LLR集的估计以生成第二LLR集。根据该实施例，执行第二读取操作还包括使用第二LLR集对第二读取操作的结果进行ECC解码。