[发明专利]基板支撑用的晶舟以及使用该晶舟的支撑单元

说明书

技术领域

本发明涉及基板支撑用的晶舟以及使用该晶舟的支撑单元，通过均匀地支撑基板的整体面，能够防止在基板处理过程中基板因自重导致的变形。

背景技术

基板处理装置应用于平板显示器的生产，并大致分为蒸镀（Vapor Deposition）装置和退火（Annealing）装置。

蒸镀装置作为形成构成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置，分为低压化学气相沉积（LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD:Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）等方式的化学气相蒸镀装置和溅射（Sputtering）等方式的物理气相蒸镀装置。

退火装置在基板上蒸镀膜以后，提高蒸镀后的膜的特性，是对蒸镀后的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。

一般地，热处理装置分为对一个基板进行热处理的单片式（Single Substrate Type）热处理装置和对多个基板进行热处理的批处理式（Batch Type）热处理装置。虽然单片式热处理装置结构简单，但生产率较低，因此，在大批量的生产中多使用批处理式热处理装置。

批处理式热处理装置形成有提供热处理空间的腔室，在腔室内必须使用分别对装载于腔室的多个基板提供支撑的支撑手段。

但是，由于现有的支撑手段是支撑基板的边缘部，因此在对基板进行热处理时，有可能因基板的自重，使基板弯曲变形。这将降低平板显示器的特性，降低基板处理工艺的可靠性。

发明内容

技术问题

本发明是为了解决上述的现有技术的问题点而提出的，本发明的目的是提供一种基板支撑用的晶舟以及使用该晶舟的支撑单元，通过均匀地支撑基板的整体面，防止在基板处理过程中基板因自重导致的变形。解决问题的手段

为了实现上述目的，本发明的基板支撑用的晶舟，用于对投入至基板处理装置的腔室内被进行处理的基板提供支撑，其包括：相互面对的一对第一主杆；一对第二主杆，其相互面对，分别结合于所述第一主杆的上侧，并分别平行于所述第一主杆，且接触和支撑所述基板的边缘部；多个第一连接杆，连接一对所述第一主杆；多个分隔支撑销，其设置在所述第一主杆以及所述第二主杆上，将由所述第二主杆形成的空间分隔成多个空间，使多个基板被所述第二主杆形成的空间分隔并支撑，并且，所述分隔支撑销与所述多个基板的角部接触，以防止多个所述基板的游动。

另外，为了实现上述目的，本发明的基板支撑用的支撑单元，用于对投入至基板处理装置的腔室内被进行处理的基板提供支撑，其包括：支架，相互面对的一对所述支架构成一组而分别设置在所述腔室的前侧及后侧，所述支架包括：与腔室的底板接触的基座；从所述基座的一端向垂直方向延伸的支柱；从所述支柱的一侧向水平方向延伸，且隔着间隔上下排列的多个支撑肋；横梁，其一端及另一端分别被构成一组且相互面对的所述支架的所述支撑肋支撑；晶舟，其一端及另一端分别被位于所述腔室前侧的所述横梁以及位于所述腔室后侧的所述横梁支撑，用于搭载和支撑多个所述基板。

发明的效果

本发明的基板支撑用的晶舟以及使用该晶舟的支撑单元，由于均匀地支撑基板的整体面，因此，在处理基板时可防止基板因自重而导致的下垂的现象。所以，处理基板也不会引起基板特性的变化，从而提高基板处理工艺的可靠性。

附图说明

图1是本发明一实施例的设置有基板支撑用的支撑单元的基板处理装置的立体图。

图2是图1所示的支撑单元的放大图。

图3是图2所示的支架的放大图。

图4是图3的“B”部的放大图。

图5是图2所示的晶舟的放大图。

图6是图2的“A”部的放大图。

图7是图5的“C”部的放大图。

图8是本发明一实施例的晶舟的使用状态的示意图。

图9是本发明的另一实施例的晶舟的立体图。

图10以及图11是本发明的另一实施例的第一垂直支撑销的多种形状的示意图。

具体实施方式