[发明专利]用于伪随机数生成的半导体存储器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2011年6月3日提交的第2011-125282号在先日本专利申请的优先权，此在先日本专利申请的所有内容在此引入作为参考。

技术领域

在此描述的实施例例如一般地涉及半导体存储器件。

背景技术

在需要安全性的领域中，使用随机数生成器以便在多方之间的认证过程中生成密钥或质询数据。

近年来，例如在智能电话、平板PC等环境中，严格限制电路规模和功耗。在这种环境中，愈发需要高能力随机数，这些随机数将用于商业内容使用或会计/结算中。

另一方面，在诸如上述智能电话和平板PC的移动设备中，NAND闪存例如主要用作非易失性存储器。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体存储器件的整体结构实例的框图；

图2是示出图1中的块（BLOCK）的等效电路图；

图3是示出处于擦除状态的存储基元的截面图；

图4是示出注入电子时的存储基元的截面图；

图5是示出处于编程状态的存储基元的截面图；

图6是示出释放电子时的存储基元的截面图；

图7示出单电平存储基元的阈值分布；

图8示出具有检验操作和没有检验操作的阈值分布；

图9示出多电平存储基元的阈值分布；

图10示出处于退化模式的多电平存储基元的阈值分布；

图11是示出根据第一实施例的随机数生成电路的框图；

图12是示出图11中的伪随机数生成电路的结构实例的等效电路图；

图13是示出图11中的随机数控制电路的结构实例的框图；

图14A是示出图13中的控制参数生成电路的结构实例的框图；

图14B示出记录在由页地址设置电路设置为读取目标的页中的数据；

图15是示出图13中的累加电路的结构实例的框图；

图16是示出图15中的累加电路的结构实例的框图；

图17示出通过控制参数读取的数据；

图18示出通过控制参数读取的数据；

图19示出控制参数与阈值分布之间的关系（MLC）；

图20示出控制参数与阈值分布之间的关系（SLC）；

图21是示出根据第二实施例的随机数生成电路的框图；

图22是示出根据第三实施例的随机数生成电路的框图；

图23是示出根据第四实施例的随机数生成电路的框图；

图24是示出根据第五实施例的系统的框图；

图25是示出根据比较实例1的协议的框图；

图26是示出根据比较实例2的协议的框图；

图27是示出根据第六实施例的结构实例的框图；

图28是示出根据第六实施例的认证流的流程图；

图29是示出根据第七实施例的结构实例的框图；

图30是示出根据第七实施例的认证流的流程图；

图31是示出根据第八实施例的结构实例的框图；

图32是示出根据第八实施例的认证流的流程图；

图33是示出第八实施例中的机密信息的数据传输的框图；

图34是示出根据第九实施例的结构实例的框图；

图35是示出根据第九实施例的认证流的流程图；

图36是示出根据第十实施例的结构实例的框图；

图37是示出根据第十实施例的认证流的流程图；

图38是示出根据第十一实施例的结构实例的框图；

图39是示出根据第十一实施例的认证流的流程图；

图40是示出根据第十二实施例的结构实例的框图；

图41是示出根据第十二实施例的认证流的流程图；

图42是示出根据第13实施例的ID检索过程（1）的框图；

图43是示出根据第13实施例的ID检索过程（2）的框图；

图44是示出根据第13实施例的ID检索过程（3）的框图；

图45是示出根据第13实施例的ID检索过程（4）的框图；

图46是示出根据第14实施例的ID绑定过程（1）的框图；

图47是示出根据第14实施例的ID绑定过程（2）的框图；

图48是示出根据第15实施例的结构实例的框图；

图49是示出根据第16实施例的结构实例的框图；以及

图50是示出根据第17实施例的结构实例的框图。