[发明专利]石墨膜的制造方法及碳化膜的制造方法有效
申请号: | 201280011528.8 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN103547530A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 太田雄介;稻田敬;三代真琴;西川泰司 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;C04B35/52 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 制造 方法 碳化 | ||
1.一种石墨膜的制造方法,其特征在于:包括包含2个级别以上的加热空间的连续碳化步骤。
2.根据权利要求1所述的石墨膜的制造方法,其特征在于:所述加热空间的温度处于高分子膜的热分解起始温度以上且小于高分子膜的热分解结束温度的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的石墨膜的制造方法,其特征在于:在所述连续碳化步骤中,至少2个级别以上的加热空间的温度处于500℃以上且小于1000℃的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的石墨膜的制造方法,其特征在于:在所述连续碳化步骤中存在至少1个冷却空间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的石墨膜的制造方法,其特征在于:接近的加热空间的温度差处于5℃以上、200℃以下的范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的石墨膜的制造方法,其特征在于:通过各加热空间前后的膜的重量减少率为25%以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的石墨膜的制造方法,其特征在于:在连续碳化步骤中所使用的高分子膜的双折射为0.10以上。
8.一种碳化膜的制造方法,其特征在于:包括包含2个级别以上的加热空间的连续碳化步骤。
9.根据权利要求8所述的碳化膜的制造方法,其特征在于:所述加热空间的温度处于高分子膜的热分解起始温度以上且小于高分子膜的热分解结束温度的范围内。
10.根据权利要求8或9所述的碳化膜的制造方法,其特征在于:在所述连续碳化步骤中,至少2个级别以上的加热空间的温度处于500℃以上且小于1000℃的范围内。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的碳化膜的制造方法,其特征在于:在所述连续碳化步骤中存在至少1个冷却空间。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的碳化膜的制造方法,其特征在于:接近的加热空间的温度差处于5℃以上、200℃以下的范围内。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的碳化膜的制造方法,其特征在于:通过各加热空间前后的膜的重量减少率为25%以下。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的碳化膜的制造方法,其特征在于:在连续碳化步骤中所使用的高分子膜的双折射为0.10以上。
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