[发明专利]石墨膜的制造方法及碳化膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种包括将在长度方向上接续的高分子膜连续煅烧的连续碳化步骤的石墨膜的制造方法及碳化膜的制造方法。 

背景技术

高分子煅烧型的石墨膜具有优异的散热特性，因此被作为散热零件而用于搭载在电脑等各种电子或电气设备上的半导体元件、其他发热零件等中。石墨膜的制造方法是通过批次方式对片状的高分子膜进行热处理。但是，为了改善生产性，或者为了获得长条的石墨膜，业界开发出将在长度方向上接续的高分子膜连续煅烧的方法。例如，在专利文献1中揭示了一边对长条的高分子膜施加张力一边连续地进行煅烧的方法，在专利文献2中揭示了尽可能不施加张力而进行连续处理的方法。 

（现有技术文献） 

专利文献1：日本国专利申请公开公报“特开平4-149013号公报”；1992年5月22日公开。 

专利文献2：日本国专利申请公开公报“特开2004-299937号公报”；2004年10月28日公开。 

发明内容

（本发明要解决的问题） 

在专利文献1或专利文献2的方法中，随着碳化收缩会产生像图1那样的褶皱或波纹而使碳化膜容易产生破裂，所以难以卷取碳化膜。 

本发明以解决这种课题为目的，其目的在于提供一种高分子膜在连续煅烧时的褶皱得到抑制的石墨膜的制造方法及碳化膜的制造方法。 

（解决问题的方案） 

即，本发明涉及一种石墨膜的制造方法，其包括包含2个级别以上的加热空 间的连续碳化步骤（技术方案1），并且本发明涉及一种碳化膜的制造方法，其包括包含2个级别以上的加热空间的连续碳化步骤（技术方案8）。 

（发明的效果） 

根据本发明的石墨膜的制造方法及碳化膜的制造方法，可以抑制连续碳化步骤时的高分子膜的褶皱。 

附图说明

图1是表示通过先前的连续煅烧法进行热处理的碳化膜的照片。 

图2是表示本发明的连续碳化步骤的模式图。 

图3是表示加热空间的剖视图。 

图4是表示冷却空间的模式图。 

图5是表示在连续碳化步骤时于碳化膜的厚度方向上施加负载的方法的一例的模式图。 

图6是表示实施例、比较例的石墨化的设置方法的模式图。 

图7是表示隔开间隔而设置数个加热处理装置的情况的一例的模式图。 

[附图标记说明] 

11    连续煅烧后的碳化膜 

21    加热处理装置 

22    回卷装置 

23    热处理前的高分子膜 

24    热处理后的高分子膜 

31    将空间以物理方式分割了的加热空间 

32    未将空间以物理方式分割的加热空间 

33    加热空间1 

34    加热空间2 

35    加热空间3 

36    炉体 

37    高分子膜 

41    未设定冷却空间的情况 

42    设定了冷却空间的情况 

43    冷却空间 

51    炉床 

52    压重物 

61    碳化膜的卷绕物 

62    炉床 

63    重力方向 

具体实施方式

本发明涉及一种包括具有2个级别以上的加热空间的连续碳化步骤的石墨膜的制造方法、及一种包括具有2个级别以上的加热空间的连续碳化步骤的碳化膜的制造方法。所述石墨膜的制造方法是指一种包括包含2个级别以上的加热空间的连续碳化步骤的石墨膜的制造方法，所述碳化膜的制造方法是指一种包括包含2个级别以上的加热空间的连续碳化步骤的碳化膜的制造方法。 

在本发明的石墨膜的制造方法中，通过对高分子膜进行热处理而制造石墨膜。在连续碳化步骤中，该制造方法可以包括连续碳化步骤、碳化步骤及石墨化步骤，也可以包括连续碳化步骤及石墨化步骤。 

另一方面，在本发明的碳化膜的制造方法中，通过对高分子膜进行热处理而制造碳化膜。该制造方法可以包括连续碳化步骤及碳化步骤，也可以不包括碳化步骤而包括连续碳化步骤。