[发明专利]磁检测装置有效

专利信息
申请号: 201280011982.3 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN103492895A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 内山刚;中山晋介;热田谕志 申请(专利权)人: 国立大学法人名古屋大学;富士设计科技有限公司
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;徐健
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 检测 装置
【权利要求书】:

1.一种磁检测装置,具有:

一对磁传感器,其分别包含用于检磁的感磁部;和

长条状的耦合部件,其与该一对感磁部一起构成磁路,

该一对感磁部的感磁方向和该耦合部件的长边方向一致到能够相等地检测在该一对感磁部共同施可的磁场的程度,

该耦合部件由相对磁导率为100以上的磁性材料、具有构成所述感磁部的磁性材料的相对磁导率的1/100以上的相对磁导率的磁性材料、或者与磁传感器的感磁部材料相同的磁性材料构成,

使所述一对传感器的输出进行差动来测定磁。

2.根据权利要求1所述的磁检测装置,其特征在于,

所述耦合部件由多个耦合部件片构成,

该多个耦合部件片隔着所述耦合部件的接合部的截面积径以下的间隙或紧贴地配设。

3.根据权利要求2所述的磁检测装置,其特征在于,

在所述间隙配设有相对磁导率为100以上的磁性体。

4.根据权利要求1所述的磁检测装置,其特征在于,

所述一对传感器的感磁部和所述耦合部件由相同的材料一体构成。

5.根据权利要求1~4的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

所述一对传感器的感磁部隔着该感磁部的接合部的截面积径以下的间隙或紧贴地配设。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

具有通过磁蔽将测定对象物和所述一对传感器屏蔽的屏蔽单元。

7.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

具有由非磁性体的导电体构成、至少覆盖所述一对传感器的感磁部、且接地的覆盖部。

8.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

所述一对传感器是磁阻传感器,

所述磁传感器的感磁部是非晶丝,

所述耦合部件是导电体,

所述磁检测装置具有与该耦合部件电并联连接的由非磁性体的导电材料构成的并列导体。

9.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

所述一对传感器是磁阻传感器,

所述磁传感器的感磁部是多条非晶丝,

该多条非晶丝电并联连接。

10.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器,

所述磁传感器的感磁部是非晶丝,

在该第一对传感器的至少一方,与该非晶丝电绝缘且沿着该非晶丝配设有结晶金属丝。

11.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器,

所述磁传感器的感磁部是非晶丝,

所述检测线圈的寄生电容被设定成使由于该非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动和由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动连续地产生。

12.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器,

所述磁传感器的感磁部是非晶丝,

测量对由于该非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值、对由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值、或者从对由于该非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值减去对由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值范围内进行累计的值而得到的值。

13.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置,其特征在于,

所述一对传感器是磁阻传感器,

所述磁传感器的感磁部是非晶丝,

该非晶丝的通电电流的脉冲宽度具有所述磁阻传感器的相对于磁场的阻抗变化显著的频率的倒数的一半左右的值。

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