[发明专利]四氮杂靴二蒽化合物及其作为n-型半导体的用途有效
申请号: | 201280012255.9 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN103415522A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | L·加德;S·马滕斯;S·盖伯 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | C07D487/06 | 分类号: | C07D487/06;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/05;H01L51/42 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘金辉;林柏楠 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 四氮杂靴二蒽 化合物 及其 作为 半导体 用途 | ||
1.一种式(I)的四氮杂靴二蒽化合物:
其中:
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8在每次出现时独立地选自H、Cl和Br,条件是R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个为Cl或Br,
R9、R10在每次出现时独立地选自H、C1-30烷基、C1-30卤代烷基、C6-14芳基、具有5至14个环原子的杂芳基和C7-20芳基烷基,其中芳基、杂芳基和芳基烷基可任选地经一个或多个以下基团取代:卤素、C1-4卤代烷基、-CN、-NO2、-CHO、-COOH、-CONH2、-CO(C1-14烷基)、-COO(C1-14烷基)、-CONHC(C1-14烷基)和-CON(C1-14烷基)2基团。
2.根据权利要求1的化合物,其中R5、R6、R7和R8为H。
3.根据权利要求1或2的化合物,其中R1、R2、R3和R4为Cl。
4.根据权利要求1或2的化合物,其中R1、R2、R3和R4为Br。
5.根据权利要求1-4中任一项的化合物,其中R9和R10为C1-10卤代烷基。
6.根据权利要求5的化合物,其中R9和R10为C1-6全氟烷基。
7.根据权利要求1-4中任一项的化合物,其中R9和R10为C6-14芳基或C7-20芳基烷基,其各自经一个或多个卤素原子取代。
8.根据权利要求7的化合物,其中R9和R10为经1至5个氟原子取代的苯基。
9.一种制备式(I)化合物的方法,包括使用氯化剂或溴化剂使式(II)的四氮杂靴二蒽氯化或溴化的步骤:
其中R9如权利要求1中所定义。
10.根据权利要求9的方法,其中R1、R2、R3和R4为Cl或Br,R5、R6、R7、R8为H,且所述氯化剂为N,N'-二氯异氰脲酸,且所述溴化剂为N,N'-二溴异氰脲酸。
11.根据权利要求9或10的方法,其中所述四氮杂靴二蒽(II)通过使4,9-二氨基苝醌-3,10-二亚胺(III)与羧酸氯化物(IV)反应而获得:
其中R9如权利要求1中所定义。
12.一种薄膜半导体,包含一种或多种根据权利要求1-8中任一项的化合物。
13.一种场效晶体管器件,包含根据权利要求12的薄膜半导体。
14.一种光伏器件,包含根据权利要求12的薄膜半导体。
15.一种有机发光二极管器件,包含根据权利要求12的薄膜半导体。
16.一种单极或互补电路器件,包含根据权利要求12的薄膜半导体。
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