[发明专利]四氮杂靴二蒽化合物及其作为n-型半导体的用途

权利要求书

1.一种式(I)的四氮杂靴二蒽化合物：

其中：

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸在每次出现时独立地选自H、Cl和Br，条件是R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸中的至少一个为Cl或Br，

R⁹、R¹⁰在每次出现时独立地选自H、C_1-30烷基、C_1-30卤代烷基、C_6-14芳基、具有5至14个环原子的杂芳基和C_7-20芳基烷基，其中芳基、杂芳基和芳基烷基可任选地经一个或多个以下基团取代：卤素、C_1-4卤代烷基、-CN、-NO₂、-CHO、-COOH、-CONH₂、-CO(C_1-14烷基)、-COO(C_1-14烷基)、-CONHC(C_1-14烷基)和-CON(C_1-14烷基)₂基团。

2.根据权利要求1的化合物，其中R⁵、R⁶、R⁷和R⁸为H。

3.根据权利要求1或2的化合物，其中R¹、R²、R³和R⁴为Cl。

4.根据权利要求1或2的化合物，其中R¹、R²、R³和R⁴为Br。

5.根据权利要求1-4中任一项的化合物，其中R⁹和R¹⁰为C_1-10卤代烷基。

6.根据权利要求5的化合物，其中R⁹和R¹⁰为C_1-6全氟烷基。

7.根据权利要求1-4中任一项的化合物，其中R⁹和R¹⁰为C_6-14芳基或C_7-20芳基烷基，其各自经一个或多个卤素原子取代。

8.根据权利要求7的化合物，其中R⁹和R¹⁰为经1至5个氟原子取代的苯基。

9.一种制备式(I)化合物的方法，包括使用氯化剂或溴化剂使式(II)的四氮杂靴二蒽氯化或溴化的步骤：

其中R⁹如权利要求1中所定义。

10.根据权利要求9的方法，其中R¹、R²、R³和R⁴为Cl或Br，R⁵、R⁶、R⁷、R⁸为H，且所述氯化剂为N,N'-二氯异氰脲酸，且所述溴化剂为N,N'-二溴异氰脲酸。

11.根据权利要求9或10的方法，其中所述四氮杂靴二蒽(II)通过使4,9-二氨基苝醌-3,10-二亚胺(III)与羧酸氯化物(IV)反应而获得：

其中R⁹如权利要求1中所定义。

12.一种薄膜半导体，包含一种或多种根据权利要求1-8中任一项的化合物。

13.一种场效晶体管器件，包含根据权利要求12的薄膜半导体。

14.一种光伏器件，包含根据权利要求12的薄膜半导体。

15.一种有机发光二极管器件，包含根据权利要求12的薄膜半导体。

16.一种单极或互补电路器件，包含根据权利要求12的薄膜半导体。